Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown

Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	A. B. Aleinikov, V. A. Berezovets, V. L. Borblik, M. M. Shwarts, Yu. M. Shwarts
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2012
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350259
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown
за авторством: Aleinikov, A.B., та інші
Опубліковано: (2012)

Characteristics of diode temperature sensors which exhibit Mott conduction in low temperature region
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2007)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)

A new method of extraction of a p-n diode series resistance from I-V characteristics and its application to analysis of low-temperature conduction of the diode base
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2009)

Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)

Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2010)

Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: Ivashchenko, O.M., та інші
Опубліковано: (2010)

Peculiarities of injection phenomena in heavily doped silicon structures and development of radiation-resistant diode temperature sensors
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2003)

About manifestation of the piezojunction effect in diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2003)

Effect of mechanical stress on operation of diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2002)

Effect of nonuniform doping profile on thermometric performance of diode temperature sensors
за авторством: Sokolov, V.N., та інші
Опубліковано: (2002)

Self-consistent method for optimization of parameters of diode temperature sensors
за авторством: Kulish, N.R., та інші
Опубліковано: (1999)

On Calculation of Breakdown Electromagnetic Field in Low-Temperature Microwave Plasmatron
за авторством: Tsarin, Yu. A.
Опубліковано: (2013)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)

Non-ohmic Mott conductivity and thermometric characteristics of heavily doped silicon structures
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2000)

Low-temperature behavior of disordered magnetic impurities: Distribution of effective Kondo temperatures
за авторством: Zvyagin, A.A., та інші
Опубліковано: (2004)

Ultrathin superconducting NbRe microstrips with hysteretic voltage-current characteristic
за авторством: C. Cirillo, та інші
Опубліковано: (2020)

Stand for RF gap breakdown strength study in magnetic field
за авторством: Demchenko, P.A., та інші
Опубліковано: (2013)

Optimized calibration of cryogenic silicon thermodiodes
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Optimized calibration of cryogenic silicon thermodiodes
за авторством: Ivashchenko, O.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Method of low-temperature rise of laser diode quality
за авторством: Kamuz, A.M., та інші
Опубліковано: (2002)

Numerical modelling of low-temperature non-equilibrium plasma of pulsing corona and breakdown
за авторством: Chyhin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Low-temperature anomalies in the magnetic and thermal properties of molecular cryocrystals doped with oxygen impurity
за авторством: Freiman, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2000)

Hysteretic phenomena and switching effects under phase transitions in external field
за авторством: Stefanovich, L.I.
Опубліковано: (1999)

Low pressure gas discharge in magnetically insulated diode
за авторством: Jamirzoev, A., та інші
Опубліковано: (2015)

Features of Change of Micromechanical Characteristics of Silicon Stimulated by the Combined Action of both Magnetic Field and Low Doses of X-Rays
за авторством: L. P. Steblenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Low-temperature magnetic field dependences of spontaneous mag-netization of low concentration (≤ 0.2 at.%) iron impurity electron system in mercury selenide crystal
за авторством: T. E. Govorkova, та інші
Опубліковано: (2019)

Experimental determination of the magnetic-field dependence of the low-temperature spontaneous magnetization of the electron system of hybridized states of cobalt impurities of low concentration (≤ 0.035 at.%) in a mercury selenide crystal
за авторством: T. E. Govorkova, та інші
Опубліковано: (2018)

Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2000)

Low-temperature electron spectra of impurities in naphtalene crystals
за авторством: N. D. Curmei, та інші
Опубліковано: (2014)

Low-temperature electron spectra of impurities in naphtalene crystals
за авторством: N. D. Curmei, та інші
Опубліковано: (2014)

Properties of junction diodes under conditions of bisotropic strains
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2009)

Electrostatics of the nanowire radial p-i-n diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2019)

Temperature dependence of the magnetic field penetration depth in YBa₂Cu₃O₇-b: effect of impurity scattering
за авторством: Golubov, A.A., та інші
Опубліковано: (1996)

Mathematical model of inductor field effect on coefficient of impurity distribution in silicon
за авторством: S. G. Egorov, та інші
Опубліковано: (2009)

The Influence of Plastic Deformation on the Defect-Impurity State and Magnetic Properties of Silicon (Cz-Si)
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)

Does electric field nonuniformity affect gas breakdown?
за авторством: Lisovskiy, V.A., та інші
Опубліковано: (2015)

Characteristics of discharge in crossed ЕxН fields near breakdown curve in acceleration and plasma regime
за авторством: Jamirzoev, A., та інші
Опубліковано: (2013)

Creating equipment for low-temperature study of current-voltage characteristics and galvanomagnetic properties of semiconductor materials and structures in the field of an external magnet
за авторством: I. P. Zharkov, та інші
Опубліковано: (2022)