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Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	A. B. Aleinikov, V. A. Berezovets, V. L. Borblik, M. M. Shwarts, Yu. M. Shwarts
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2012
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350259
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