Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-Si at temperatures 300 to 450 K
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | V. M. Ermakov, V. V. Kolomoets, L. I. Panasyuk, P. F. Nazarchuk, L. V. Yashchynskyi |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350293 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-S at temperatures 300 to 450 K
за авторством: Ermakov, V.M., та інші
Опубліковано: (2012) -
Degenerate four-wave mixing in n-Ge due to intervalley redistribution of hot electrons
за авторством: Vasetskii, V.M., та інші
Опубліковано: (2001) -
Новые индикаторы светимости для F-, G-, K-сверхгигантов
за авторством: Чехонадских, Ф.А., та інші
Опубліковано: (2009) -
Static domain in device with intervalley electron transfer on the basis of variband AlGaAs
за авторством: I. P. Storozhenko
Опубліковано: (2015) -
The contribution to the scattering of electrons in the magnetoresistance of multilayers of nonmagnetic metals
за авторством: Protsenko, I.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)