Зображення обкладинки

Studying of properties of silicon junctions with the Schottky barrier fabricated on the base of amorphous and polycrystalline various metal alloys

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автор:	I. G. Pashaev
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2012
Назва видання:	Progress in Physics of Metals
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000469481
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)

SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2004)

Conditions for the fabrication of metallic glasses and truly amorphous materials
за авторством: O. B. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2020)

On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014)

On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Microwave Resonance Study of Crystallization of Amorphous Metallic Alloys
за авторством: Belozorov, D. P., та інші
Опубліковано: (2013)

Microhardness of oriented amorphous polycrystalline polymers
за авторством: V. A. Beloshenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Thin Film Detector CdTe Structures with Schottky Barrier
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)

Fabrication of silicon nanowhiskers
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2011)

Formation of ickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes
за авторством: P. V. Kuchinskij, та інші
Опубліковано: (2014)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2010)

Photoresponse of Schottky-barrier detector under strong IR laser excitation
за авторством: Asmontas, S., та інші
Опубліковано: (2000)

Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: Vlasov, S.I., та інші
Опубліковано: (2010)

Electrical resistance and magnetoresistance of amorphous metallic alloys based on iron and cobalt
за авторством: M. P. Semenko, та інші
Опубліковано: (2009)

Influence of structural relaxation on the performance of Co-Based amorphous metallic alloys
за авторством: Zakharenko, M.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Electro¬catalytic properties of the amorphous metallic alloys based on iron and aluminium
за авторством: M. Kovbuz, та інші
Опубліковано: (2013)

Electrodes based on amorphous metallic aluminium alloys in hydrogen emission reactions
за авторством: L. M. Boichyshyn, та інші
Опубліковано: (2015)

Electrochemical parameters of cobalt amorphous alloys in aggressive environments of various nature
за авторством: О. М. Hertsyk, та інші
Опубліковано: (2024)

Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)

Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)

ANALYSIS AND STUDY OF AMORPHOUS ALLOYS PROPERTIES
за авторством: Pavlenko, T. P., та інші
Опубліковано: (2013)

Methods for deter-mination of schottky barrier height from I-V curves (review)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2014)

Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)

Application and fabrication aspects of sub-micrometer-sized Josephson junctions
за авторством: Oelsner, G., та інші
Опубліковано: (2017)

Application and fabrication aspects of sub-micrometer-sized Josephson junctions
за авторством: G. Oelsner, та інші
Опубліковано: (2017)

Melting of polycrystalline lead and bismuth films on amorphous carbon substrates
за авторством: V. N. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2012)

Magnetic properties of the Fe-based amorphous alloys
за авторством: T. Pereverzieva, та інші
Опубліковано: (2017)

Josephson Junctions with Various Transparency Distribution Functions on the Base of Two-Band Superconductors
за авторством: V. E. Shaternik, та інші
Опубліковано: (2013)

Macrolocalization of plastic deformation and staging of plastic flow in polycrystalline metals and alloys
за авторством: V. I. Danilov, та інші
Опубліковано: (2008)

Influence of alloying on corrosion resistance of Fe-based bulk amorphous alloys based
за авторством: O. M. Hertsyk, та інші
Опубліковано: (2017)

Features of nanogometry of the amorphous metallic alloys surface Brief overview
за авторством: M.-O. Danyliak, та інші
Опубліковано: (2018)

Calculation of Josephson current in a two-barrier tunnel junction
за авторством: P. P. Shygorin, та інші
Опубліковано: (2017)

Calculation of Josephson current in a two-barrier tunnel junction
за авторством: P. P. Shyhorin, та інші
Опубліковано: (2017)

Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)

Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2012)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)