Studying of properties of silicon junctions with the Schottky barrier fabricated on the base of amorphous and polycrystalline various metal alloys
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автор: | I. G. Pashaev |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Progress in Physics of Metals |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000469481 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Conditions for the fabrication of metallic glasses and truly amorphous materials
за авторством: O. B. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: O. B. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2020)
On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014)
On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014)
Microhardness of oriented amorphous polycrystalline polymers
за авторством: V. A. Beloshenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. A. Beloshenko, та інші
Опубліковано: (2013)
ANALYSIS AND STUDY OF AMORPHOUS ALLOYS PROPERTIES
за авторством: Pavlenko, T. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Pavlenko, T. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Thin Film Detector CdTe Structures with Schottky Barrier
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
Microwave Resonance Study of Crystallization of Amorphous Metallic Alloys
за авторством: Belozorov, D. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Belozorov, D. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Fabrication of silicon nanowhiskers
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2011)
Formation of ickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes
за авторством: P. V. Kuchinskij, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. V. Kuchinskij, та інші
Опубліковано: (2014)
Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2010)
Electrical properties intergranular boundaries in the volume of polycrystalline silicon
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013)
Research of the influence of siliconizing on the structure and properties of hot-pressed polycrystalline silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)
Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)
Electrochemical parameters of cobalt amorphous alloys in aggressive environments of various nature
за авторством: О. М. Hertsyk, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: О. М. Hertsyk, та інші
Опубліковано: (2024)
Electro¬catalytic properties of the amorphous metallic alloys based on iron and aluminium
за авторством: M. Kovbuz, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. Kovbuz, та інші
Опубліковано: (2013)
Application and fabrication aspects of sub-micrometer-sized Josephson junctions
за авторством: G. Oelsner, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: G. Oelsner, та інші
Опубліковано: (2017)
Methods for deter-mination of schottky barrier height from I-V curves (review)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2014)
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2013)
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2013)
Melting of polycrystalline lead and bismuth films on amorphous carbon substrates
за авторством: V. N. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. N. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2012)
Properties of diamond polycrystalline composite material obtained in the diamond-graphene-silicon system
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Calculation of Josephson current in a two-barrier tunnel junction
за авторством: P. P. Shygorin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: P. P. Shygorin, та інші
Опубліковано: (2017)
Calculation of Josephson current in a two-barrier tunnel junction
за авторством: P. P. Shyhorin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: P. P. Shyhorin, та інші
Опубліковано: (2017)
Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)
Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2012)
Fabrication and physical properties of mono- and multilayer metallic nanostructures
за авторством: V. A. Artemiuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. A. Artemiuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Macrolocalization of plastic deformation and staging of plastic flow in polycrystalline metals and alloys
за авторством: V. I. Danilov, та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: V. I. Danilov, та інші
Опубліковано: (2008)
Magnetic properties of the Fe-based amorphous alloys
за авторством: T. Pereverzieva, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: T. Pereverzieva, та інші
Опубліковано: (2017)
Study of scintillation and optical properties of polycrystalline stilbene
за авторством: Gorbacheva, T.E., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gorbacheva, T.E., та інші
Опубліковано: (2011)
The negatronic elements on the basis of local polycrystalline silicon films
за авторством: F. D. Kasimov, та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: F. D. Kasimov, та інші
Опубліковано: (2002)
Features of nanogometry of the amorphous metallic alloys surface Brief overview
за авторством: M.-O. Danyliak, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M.-O. Danyliak, та інші
Опубліковано: (2018)
Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)
Study of the influence of metallic nanocoatings on adhesion properties and strength of silicon oxide/aluminium alloys soldering joining
за авторством: V. P. Krasovskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. P. Krasovskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
Схожі ресурси
-
Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013) -
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019) -
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019) -
Conditions for the fabrication of metallic glasses and truly amorphous materials
за авторством: O. B. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2020) -
On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014)