Studying of properties of silicon junctions with the Schottky barrier fabricated on the base of amorphous and polycrystalline various metal alloys
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | I. G. Pashaev |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2012
|
| Schriftenreihe: | Progress in Physics of Metals |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000469481 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
von: O. T. Bohorosh, et al.
Veröffentlicht: (2013) -
SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Conditions for the fabrication of metallic glasses and truly amorphous materials
von: O. B. Lysenko, et al.
Veröffentlicht: (2020) -
On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
von: A. V. Babich
Veröffentlicht: (2014) -
On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
von: A. V. Babich
Veröffentlicht: (2014)