Studying of properties of silicon junctions with the Schottky barrier fabricated on the base of amorphous and polycrystalline various metal alloys
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | I. G. Pashaev |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2012
|
| Schriftenreihe: | Progress in Physics of Metals |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000469481 |
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| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
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