Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | V. G. Litovchenko, V. M. Naseka, A. A. Evtukh |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000678128 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012) -
Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2001) -
Surface photovoltage spectroscopy research of solar silicon recombination parameters
за авторством: V. G. Litovchenko
Опубліковано: (2015) -
Increase of planar homogeneity of multi-silicon structures by gettering treatments
за авторством: Litovchenko, V.G., та інші
Опубліковано: (2001) -
Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
за авторством: A. Sarikov, та інші
Опубліковано: (2012)