Buchumschlag

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	V. G. Litovchenko, V. M. Naseka, A. A. Evtukh
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2012
Schriftenreihe:	Ukrainian journal of physics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000678128
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
von: V. H. Lytovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon
von: Evtukh, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Surface photovoltage spectroscopy research of solar silicon recombination parameters
von: V. G. Litovchenko
Veröffentlicht: (2015)

Increase of planar homogeneity of multi-silicon structures by gettering treatments
von: Litovchenko, V.G., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
von: A. Sarikov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
von: R. M. Korkishko, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
von: Korkishko, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
von: A. Misiuk, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Surface photovoltage spectroscopy research of solar silicon recombination parameters
von: V. H. Lytovchenko
Veröffentlicht: (2015)

Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
von: I. M. Vikulin, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
von: V. P. Kostylyov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Methods and mechanisms of gettering of silicon structures in the production of integrated circuits
von: V. A. Pilipenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
von: Kostylyov, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
von: V. P. Kostylyov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
von: V. P. Kostylov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Features in the formation of a recombination current in the space charge region of silicon solar cells
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Features in the formation of a recombination current in the space charge region of silicon solar cells
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Influence of Zr-Fe getter filter on Cd and Zn deep refining of interstitial impurities
von: Kondrik, A.I., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

The process of forming the polycrystalline silicon wafer from the powder raw material and analyzing the impurity composition of their surface
von: R. Aliev, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Refining of Cd and Zn from interstitial impurities using distillation with a ZrFe getter filter
von: A. I. Kondrik, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Thermoluminescence from silicon quantum dots in the two traps–one recombination center model
von: N. Gemechu, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Thermoluminescence from silicon quantum dots in the two traps–one recombination center model
von: N. Gemechu, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
von: O. T. Bohorosh, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Research of the influence of siliconizing on the structure and properties of hot-pressed polycrystalline silicon carbide
von: V. V. Ivzhenko, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2000)

The negatronic elements on the basis of local polycrystalline silicon films
von: F. D. Kasimov, et al.
Veröffentlicht: (2002)

Electrical properties intergranular boundaries in the volume of polycrystalline silicon
von: L. O. Olimov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
von: M. M. Krasko
Veröffentlicht: (2012)

Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
von: M. M. Krasko
Veröffentlicht: (2012)

Solar cells based on multicrystalline silicon
von: Popov, V.G.
Veröffentlicht: (2000)

Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation
von: V. N. Litvinenko, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Properties of diamond polycrystalline composite material obtained in the diamond-graphene-silicon system
von: A. A. Shulzhenko, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Relaxation of Magnetosensitive Impurities in Single-Crystalline Silicon
von: V. A. Makara, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
von: Vlaskina, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Some Issues of Kinetic Theory of Radiation-Accelerated Boundary Diffusion in Polycrystalline Materials with Impurities
von: E. A. Smirnov
Veröffentlicht: (2013)

On features of deoxidization of CsI melt with zirconium getter
von: Datsko, Yu.N., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Characterization of «solar» multicrystalline silicon by local measurements
von: Popov, V.G.
Veröffentlicht: (2001)

Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
von: Talanin, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
von: V. Shmid, et al.
Veröffentlicht: (2019)