Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | S. V. Luniov, L. I. Panasiuk, S. A. Fedosov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000678455 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2012) -
Search for the minimum thermal conductivity in mixed cryocrystals (CH₄)₁₋ξ Krξ
за авторством: Konstantinov, V.A., та інші
Опубліковано: (2001) -
Characterizations of additive ξ-Lie derivations on unital algebras
за авторством: M. Ashraf, та інші
Опубліковано: (2021) -
Diffuse interstellar bands towards ο Per and ξ Per
за авторством: Debudej, A., та інші
Опубліковано: (2012)