Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | S. V. Luniov, L. I. Panasiuk, S. A. Fedosov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000678455 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2012)
Characterizations of additive ξ-Lie derivations on unital algebras
за авторством: M. Ashraf, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: M. Ashraf, та інші
Опубліковано: (2021)
Hyers-Ulam Stability of Ternary (σ, t, ξ)-Derivations on C*-Ternary Algebras
за авторством: Gordji, M.E., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Gordji, M.E., та інші
Опубліковано: (2012)
On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2019)
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2019)
Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (60Co) n-Si crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2018)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2018)
Tensoresistive effect in the system of potential barriers in semiconductor films
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013)
On the methodology of determining the transverse tensoresistance in multi-valley semiconductors
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2022)
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2022)
Tensoresistance of amorphous ferromagnetics
за авторством: M. P. Semenko, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: M. P. Semenko, та інші
Опубліковано: (2009)
Features of tensoresistive properties of thin metallic films under elastic and plastic deformations
за авторством: D. V. Velykodnyi, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: D. V. Velykodnyi, та інші
Опубліковано: (2011)
The Effect of Constant Negative Bias Potential on the Structure, Substructure and Stressedly Deformed State of the TiN Coatings
за авторством: O. V. Sobol, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. V. Sobol, та інші
Опубліковано: (2013)
Errata: The Effect of Constant Negative Bias Potential on the Structure, Substructure and Stressedly Deformed State of the TiN Coatings
за авторством: O. V. Sobol, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. V. Sobol, та інші
Опубліковано: (2013)
Representations of U(2∞) and the Value of the Fine Structure Constant
за авторством: Klink, W.H.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Klink, W.H.
Опубліковано: (2005)
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)
Tensoresistivity properties of film materials base on Ni and Mo or Cr
за авторством: I. P. Buryk, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: I. P. Buryk, та інші
Опубліковано: (2009)
On Murnaghan's Constants of Nonlinear Hyperelastic Deformation of Materials
за авторством: Ja. Ja. Rushchitskij
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ja. Ja. Rushchitskij
Опубліковано: (2016)
Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Fundamental Physical Constants and their Stability, Transition to New Definitions of the SI Units
за авторством: Melnikov, V. N., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Melnikov, V. N., та інші
Опубліковано: (2012)
Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016)
Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)
The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Exponential smoothing constant determination to minimize the forecast error
за авторством: N. A.M. Noor, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: N. A.M. Noor, та інші
Опубліковано: (2022)
The Maxwell modified method of determination of effective constants of heterogeneous materials
за авторством: V. I. Kushch, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Kushch, та інші
Опубліковано: (2017)
Determination of the ²³⁴U isotope content in uranium-bearing materials using high-resolution gamma spectrometry
за авторством: Kutniy, D.V., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kutniy, D.V., та інші
Опубліковано: (2021)
Cyclotron U-240 trim coil currents determination
за авторством: A. E. Valkov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. E. Valkov, та інші
Опубліковано: (2013)
Cyclotron U-240 trim coil currents determination
за авторством: A. E. Valkov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. E. Valkov, та інші
Опубліковано: (2012)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Determination of the activation energy of A-center in the uniaxially deformed n-Ge single crystals
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2017)
Influence of the surface roughness and oxide surface layer onto Si optical constants measured by the ellipsometry technique
за авторством: T. S. Rozouvan, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: T. S. Rozouvan, та інші
Опубліковано: (2015)
Determination of fundamental optical constant of Zn2SnO4 films
за авторством: A. O. Salohub, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. O. Salohub, та інші
Опубліковано: (2017)
Determination of natural frequencies of an elliptic shell of constant thickness by the finite element method
за авторством: V. D. Budak, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. D. Budak, та інші
Опубліковано: (2014)
DETERMINATION OF THE COMPOSITION AND STABILITY CONSTANT OF COBALT (II) POLYLIGAND CITRATE-MOLYBDATE COMPLEXES
за авторством: Nikitenko, Vasyl, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Nikitenko, Vasyl, та інші
Опубліковано: (2023)
Вплив Ñ€Ñ–Ð²Ð½Ñ Ð²Ð¾Ð»Ð¾Ð³Ð¾Ñті гермплазми винограду на Ñ—Ñ— життєздатніÑть піÑÐ»Ñ Ñ€Ñ–Ð·Ð½Ð¸Ñ… ÑпоÑобів Ñ– термінів гіпотермічного зберіганнÑ
за авторством: Prystalov, Anton I.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Prystalov, Anton I.
Опубліковано: (2017)
Зміна оÑмотичної крихкоÑті та індекÑу ÑферичноÑті еритроцитів щурів різного віку піÑÐ»Ñ Ñ…Ð¾Ð»Ð¾Ð´Ð¾Ð²Ð¸Ñ… впливів
за авторством: Ostras, Daniil A., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ostras, Daniil A., та інші
Опубліковано: (2019)
Витік калію Ñ– щільніÑть розподілу за індекÑом ÑферичноÑті в популÑціÑÑ… еритроцитів при екÑпозиції в гіпертонічних розчинах хлориду натрію
за авторством: Alekseeva, L. I., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Alekseeva, L. I., та інші
Опубліковано: (2005)
Вплив діпірідамолу, оÑмолÑрноÑті та Ñульфгідрильних реагентів на транÑпорт аніонів Ñульфату в еритроцитах людини
за авторством: Pisarenko, N. A., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Pisarenko, N. A., та інші
Опубліковано: (2006)
ЗдатніÑть різних за віком еритроцитів до киÑлород-транÑпортної функції та зміна Ñ—Ñ… жорÑткоÑті у процеÑÑ– гіпотермічного зберіганнÑ
за авторством: Mykhailova, Olga O., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Mykhailova, Olga O., та інші
Опубліковано: (2019)
УчаÑть адрен- та холінергічних ÑиÑтем мозку в регулÑції активноÑті нейроцитів гіпоталамуÑа та тиреотропоцитів аденогіпофіза птахів при дії хронічного холодового ÑтреÑу
за авторством: Oleksiyenko, N. V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Oleksiyenko, N. V., та інші
Опубліковано: (2004)
Ð—Ð°Ð¼Ð¾Ñ€Ð¾Ð¶ÑƒÐ²Ð°Ð½Ð½Ñ Ñ‚Ñ€Ð¾Ð¼Ð±Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ñ–Ð² у кріозахиÑних Ñередовищах, що міÑÑ‚Ñть різні комбінації кріопротекторів
за авторством: Bogdanchikova, O. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Bogdanchikova, O. A., та інші
Опубліковано: (2008)
On the Lebesgue constants
за авторством: A. K. Kushpel
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. K. Kushpel
Опубліковано: (2019)
Схожі ресурси
-
Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Characterizations of additive ξ-Lie derivations on unital algebras
за авторством: M. Ashraf, та інші
Опубліковано: (2021) -
Hyers-Ulam Stability of Ternary (σ, t, ξ)-Derivations on C*-Ternary Algebras
за авторством: Gordji, M.E., та інші
Опубліковано: (2012) -
On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2019) -
Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (60Co) n-Si crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2018)