Зображення обкладинки

Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	O. V. Kozynets, S. V. Lytvynenko
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2012
Назва видання:	Ukrainian Journal of Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725344
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012)

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of &quot;deep&quot; p–n-junction
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2017)

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of &quot;deep&quot; p–n-junction
за авторством: A. V. Kozinetz, та інші
Опубліковано: (2017)

Double-layer ITO/Al back surface reflector for single-junction silicon photoconverters
за авторством: Kopach, V.R., та інші
Опубліковано: (2008)

Volt-ampere characteristic and induced current in the external circuit of avalanche-generator diodes on the basis of the back displaced abrupt p–n-junctions
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2015)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Effect of surface conductivity on electrical properties of mesa-structure InAs p—n-junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Interdigital structures of heavy ions linear accelerators: their tuning, beams focusing and use (review)
за авторством: Dyachenko, О.F.
Опубліковано: (2019)

Information and measuring system on the basis of strain sensors based on silicon microcrystals
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2018)

The study of solar cells with back side contacts at low illumination
за авторством: A. P. Gorban, та інші
Опубліковано: (2010)

Conductometric urease microbiosensor based on thin-film interdigitated electrodes for urea determination
за авторством: Dzyadevich, S.V., та інші
Опубліковано: (1996)

Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)

Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN
за авторством: M. U. Nasyrov, та інші
Опубліковано: (2015)

Concerning the depletion width of a radial p-n junction and its influence on electrical properties of the diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2017)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)

Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)

Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)

Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)

Heated electrons and holes in asymmetric p-n-junction located in the microwave field
за авторством: M. G. Dadamirzaev
Опубліковано: (2013)

Peculiarities of preparation of CdTe p-n junctions and carrier transport in them
за авторством: A. T. Voroshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)

Studying of properties of silicon junctions with the Schottky barrier fabricated on the base of amorphous and polycrystalline various metal alloys
за авторством: I. G. Pashaev
Опубліковано: (2012)

Coming Back
за авторством: B. Pastukh
Опубліковано: (2017)

Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n+CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2014)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: Boltovets, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: M. S. Boltovets, та інші
Опубліковано: (2010)

A non-destructive method for measuring the depth of occurrence of the p-n junction of semiconductor photoelectric structures
за авторством: R. Aliev, та інші
Опубліковано: (2010)

S1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p + -n junctions
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2018)

Humidity Diode Sensors Based on 1D Nanosized Silicon Structures
за авторством: Ya. O. Linevych, та інші
Опубліковано: (2024)

Silicon whisker pressure sensors for noise reduction in silencers
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2021)

Features frequency conductivity of silicon sensor cryogenic temperatures
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)

Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2013)

Property loan backing in bankruptcy in Eastern and Central Europe countries
за авторством: Yu. Tarasevych
Опубліковано: (2019)