Зображення обкладинки

Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	O. V. Kozynets, S. V. Lytvynenko
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2012
Назва видання:	Ukrainian Journal of Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725344
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012)

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of &quot;deep&quot; p–n-junction
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2017)

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of &quot;deep&quot; p–n-junction
за авторством: A. V. Kozinetz, та інші
Опубліковано: (2017)

Double-layer ITO/Al back surface reflector for single-junction silicon photoconverters
за авторством: Kopach, V.R., та інші
Опубліковано: (2008)

Volt-ampere characteristic and induced current in the external circuit of avalanche-generator diodes on the basis of the back displaced abrupt p–n-junctions
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2015)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Effect of surface conductivity on electrical properties of mesa-structure InAs p—n-junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)

Inductance-capacitor system for tuning of interdigital structure of the ion linear accelerator
за авторством: Bomko, V.O., та інші
Опубліковано: (2007)

Information and measuring system on the basis of strain sensors based on silicon microcrystals
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2018)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)

The study of solar cells with back side contacts at low illumination
за авторством: A. P. Gorban, та інші
Опубліковано: (2010)

The study of solar cells with back side contacts at low illumination
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2010)

Interdigital structures of heavy ions linear accelerators: their tuning, beams focusing and use (review)
за авторством: Dyachenko, О.F.
Опубліковано: (2019)

Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN
за авторством: Nasyrov, M.U., та інші
Опубліковано: (2015)

Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN
за авторством: Nasyrov, M.U., та інші
Опубліковано: (2015)

Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN
за авторством: M. U. Nasyrov, та інші
Опубліковано: (2015)

Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)

Conductometric urease microbiosensor based on thin-film interdigitated electrodes for urea determination
за авторством: Dzyadevich, S.V., та інші
Опубліковано: (1996)

Conductometric urease microbiosensor based on thin-film interdigitated electrodes for urea determination
за авторством: Dzyadevich, S.V., та інші
Опубліковано: (1996)

Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)

Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)

Development of back contact for CdS/CdTe thin-film solar cells
за авторством: Khrypunov, G., та інші
Опубліковано: (2010)

Back surface reflector optimization for thin single crystalline silicon solar cells
за авторством: Kopach, V.R., та інші
Опубліковано: (2007)

Concerning the depletion width of a radial p-n junction and its influence on electrical properties of the diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2017)

Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)

Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: Boltovets, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: M. S. Boltovets, та інші
Опубліковано: (2010)

Coming Back
за авторством: B. Pastukh
Опубліковано: (2017)

Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n+CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2014)

Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)