Anisotropy of electron phonon drag thermoEMF in n-Ge
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | P. I. Baranskii, G. P. Gaidar |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Journal of thermoelectricity |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000753583 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)
Concentration dependences of the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ || and the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermopower M = α || ph/α⊥ ph IN n-Ge and n-Si
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2014)
The accuracy of thermoEMF measurement by the probe method
за авторством: L. I. Anatychuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: L. I. Anatychuk, та інші
Опубліковано: (2012)
ThermoEMF in Bi nanowires in the transverse constant electric field
за авторством: E. P. Sinyavsky, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: E. P. Sinyavsky, та інші
Опубліковано: (2012)
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)
Effect of charge ordering on the thermoEMF of layered crystals in a quantizing magnetic field
за авторством: P. V. Gorsky
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. V. Gorsky
Опубліковано: (2012)
Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n-Si
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Thermo emf in a two-dimensional electron-hole system in HgTe quantum wells in the presence of magnetic field. The role of the diffusive and the phonon-drag contributions
за авторством: E. B. Olshanetsky, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: E. B. Olshanetsky, та інші
Опубліковано: (2021)
Impact of layered structure effects and charge ordering on thermoEMF of thermoelectric materials in a quantizing magnetic field
за авторством: P. V. Gorsky, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: P. V. Gorsky, та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)
Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)
Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
Manifestation of the phonon drag of vortices on measuring HTSC fluctuation thermopower
за авторством: Chiang, Yu.N., та інші
Опубліковано: (1996)
за авторством: Chiang, Yu.N., та інші
Опубліковано: (1996)
Phonon Drag Thermopower in Quantum Wire with Parabolic Confinement Potential
за авторством: Abbasov, I.I., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Abbasov, I.I., та інші
Опубліковано: (2017)
The spin states of cobalt ions and thermo-e.m.f. in erbium and holmium cobaltites
за авторством: Khirnyi, V.F., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Khirnyi, V.F., та інші
Опубліковано: (2009)
The role of optical phonons in electrons heating by IR radiation in Ge
за авторством: Poroshin, V.N., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Poroshin, V.N., та інші
Опубліковано: (2005)
Electron-electron drag in crystals with multivalley band
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2011)
Changes in Hall parameters after -irradiation (60So) of n-Ge
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2011)
Effect of Surfactant Germanium Sublayers of the Subatomic Thickness on the Structure and the Low-Temperature Thermo-EMF of Gold and Copper Ultra-Thin Films
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2013)
Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)
Thermodynamic properties of the AgGaGe3Se8 compound at T≤500 K determined by the emf method
за авторством: M. Moroz, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: M. Moroz, та інші
Опубліковано: (2022)
Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)
Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)
Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)
Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2014)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2014)
Specific thermoemf and Hall-effect in crystals with monopolar conductivity
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge &lt;As&gt; single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2015)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2015)
Lateral photo-emf in Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2010)
Electronic structure, phonon spectra and electron–phonon interaction in ScB₂
за авторством: Sichkar, S.M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Sichkar, S.M., та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of the electron irradiation on electrical properties of n-InSe and their anisotropy
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2018)
Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity
за авторством: D. A. Zakharchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. A. Zakharchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Electron-electron drag in crystals with a multi-valley band. Magnetoresistivity and Hall-effect
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008)
Gigantic thermoemf of layered thermoelectric materials in a quantizing magnetic field
за авторством: P. V. Gorskiy
Опубліковано: (2016)
за авторством: P. V. Gorskiy
Опубліковано: (2016)
Electronic structure, phonon spectra and electron–phonon interaction in ScB2
за авторством: S. M. Sichkar, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. M. Sichkar, та інші
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017) -
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017) -
Concentration dependences of the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ || and the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermopower M = α || ph/α⊥ ph IN n-Ge and n-Si
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2014) -
The accuracy of thermoEMF measurement by the probe method
за авторством: L. I. Anatychuk, та інші
Опубліковано: (2012) -
ThermoEMF in Bi nanowires in the transverse constant electric field
за авторством: E. P. Sinyavsky, та інші
Опубліковано: (2012)