Зображення обкладинки

Features studies of transition layers in semiconductor heterosystems

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2021
Автори:	L. V. Shekhovtsov, S. I. Kyrylova
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2021
Назва видання:	Optoelectronics and Semiconductor Technique
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001342046
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Diagnosis of semiconductor heterosystems using the photovoltaic method
за авторством: L. V. Shekhovtsov
Опубліковано: (2021)

Quantum-size effects in semiconductor heterosystems
за авторством: L. A. Matveeva, та інші
Опубліковано: (2017)

Energy spectrum of electrons in a three-layer heterosystem with self-organized defect-deformation structures
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)

Energy spectrum of electrons in a three-layer heterosystem with self-organized defect-deformation structures
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of Depletion Transition Layers on Surface Polaritons in Semiconductor Films
за авторством: Beletskij, N. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Complexation peculiarities in &quot;Doxorubicin–Bovine Serum Albumin–Gold Nanoparticles&quot; heterosystem. The fluorescence study
за авторством: N. A. Goncharenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Complexation peculiarities in &quot;Doxorubicin–Bovine Serum Albumin–Gold Nanoparticles&quot; heterosystem. The fluorescence study
за авторством: N. A. Goncharenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Using a layer based on materials with a metal to semiconductor phase transition for electrothermal protection of solar cells
за авторством: O. S. Tonkoshkur, та інші
Опубліковано: (2021)

Semiconductor properties of nanomolekular layer of DNA
за авторством: V. V. Dzhelali, та інші
Опубліковано: (2007)

Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
за авторством: T. Charikova, та інші
Опубліковано: (2015)

Nanostructured antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors
за авторством: Ja. Ja. Kudrik
Опубліковано: (2013)

Radiation and thermal stability of thin layers, he-terosystems and nanostructures, created on the basis of elementary semiconductors and semiconductor com-pounds
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2010)

Molecular-field Approximation in the theory of ferromagnetic phase transition in diluted magnetic semiconductors
за авторством: Yu. H. Semenov, та інші
Опубліковано: (2021)

Molecular-field Approximation in the theory of ferromagnetic phase transition in diluted magnetic semiconductors
за авторством: Yu. G. Semenov, та інші
Опубліковано: (2021)

Effect of magnetic and electric fields on optical properties of semiconductor spherical layer
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of magnetic and electric fields on optical properties of semiconductor spherical layer
за авторством: V. A. Holovatsky, та інші
Опубліковано: (2014)

Peculiarities of the exciton scattering in double semiconductor quantum wells with disordered layers
за авторством: G. V. Vertsimakha
Опубліковано: (2015)

Light absorption by d-dimensional organic semiconductors under exciton transitions between broad bands
за авторством: Grigorchuk, N. I.
Опубліковано: (1999)

Diluted magnetic layered semiconductor InSe:Mn with high Curie temperature
за авторством: G. V. Lashkarev, та інші
Опубліковано: (2011)

The formation of isolating and gettering layers in semiconductors with use of medium energy proton implantation
за авторством: F. F. Komarov, та інші
Опубліковано: (2008)

Study of the fracture features of layered ceramics in its microvolumes by indentation methods
за авторством: O. M. Hryhoriev, та інші
Опубліковано: (2020)

About experimental observation of spin polarization of electrons in hybridized states of the transition element impurities in a semiconductor
за авторством: V. I. Okulov, та інші
Опубліковано: (2013)

Diffusion processes in the transition layer of the Earth&#039;s magnetosphere
за авторством: A. S. Prokhorenkov, та інші
Опубліковано: (2015)

Features of electromagnetic compatibility of semiconductor converters in structures with wireless channels
за авторством: V. M. Bakiko, та інші
Опубліковано: (2019)

Electromagnetic Wave Propagation through a Biisotropic Transition Layer
за авторством: Pazynin, L. A.
Опубліковано: (2013)

Features of public regulation of the economy in transition
за авторством: V. S. Zahorskyi
Опубліковано: (2016)

The concept of transitional justice: genesis and features
за авторством: N. V. Teplytska
Опубліковано: (2022)

Temperature changes in the function of the shape inherent to the band of exciton absorption in nano-film of layered semiconductor
за авторством: A. V. Derevyanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Features of calculation of semiconductor voltage converters based on state-space averaging
за авторством: Yu. V. Rudenko
Опубліковано: (2020)

Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model
за авторством: Z. Z. Alisultanov
Опубліковано: (2013)

On features of crystal structure of semiconductor-ferroelectric Ag3AsS3
за авторством: N. Borovoy, та інші
Опубліковано: (2013)

Features of optical properties of ferromagnetic semiconductors with dynamic laser-induced gratings
за авторством: Semchuk, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2001)

X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals
за авторством: I. L. Shulpina, та інші
Опубліковано: (2011)

Thermoelectric phenomena in layered conductors under the Lifshitz electron topological transition
за авторством: V. G. Peschanskij
Опубліковано: (2017)

Features of the generation of energy states in the Lu1 – xVxNiSb semiconductor
за авторством: V. V. Romaka, та інші
Опубліковано: (2023)

Features of the generation of energy states in the Lu1 – xVxNiSb semiconductor
за авторством: V. V. Romaka, та інші
Опубліковано: (2023)

Influence of structure of transitional zone of the alloyed layer on properties of details with electrospark coverings
за авторством: N. V. Zaitseva
Опубліковано: (2014)

Nonlocal transport phenomena in semiconductors
за авторством: L. P. Bulat, та інші
Опубліковано: (2013)

Prospects of transition to European standards – features of Eurocode 8
за авторством: Viktosenko, I.A., та інші
Опубліковано: (2025)