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Features studies of transition layers in semiconductor heterosystems

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2021
Hauptverfasser:	L. V. Shekhovtsov, S. I. Kyrylova
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2021
Schriftenreihe:	Optoelectronics and Semiconductor Technique
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001342046
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