Зображення обкладинки

Relaxation changes in the mobility and concentration of charge carriers in Si with deep impurity levels under the action of pulsed pressure

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	O. O. Mamatkarimov, Kh. Khamidov, R. G. Zhabborov, U. A. Tujchiev, Kh. Kuchkarov
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2012
Назва видання:	Physical surface engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000908780
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Kinetics of changes in charge carrier concentration with doping in lead telluride-based alloys with transition metal impurities
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2015)

Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014)

Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)

The influence of charge carrier relaxation on spectra of donor-acceptor recombination taking into account Coulomb correlations
за авторством: N. A. Bogoslovskij, та інші
Опубліковано: (2019)

On the possibility to estimate the mobility edge position for charge carriers using single-particle averages
за авторством: Ju. V. Skripnik, та інші
Опубліковано: (2018)

Surface scattering of charge carriers and surface electronic states
за авторством: S. V. Solohub, та інші
Опубліковано: (2015)

Band carriers scattering on impurities
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2010)

Impurity scattering of band carriers
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2010)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)

Relaxation of silicon non-equilibrium depletion with majority charge carriers in strong electric fields, its mechanisms and ways to damp it
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2008)

Concentration maxima of the mobility of 2D electrons scattered by correlated impurity ions in thin doped layers
за авторством: V. M. Mikheev
Опубліковано: (2019)

Relaxation of Magnetosensitive Impurities in Single-Crystalline Silicon
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)

Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2018)

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of different parameters on the carrier mobility in NWTFET
за авторством: R. Marki, та інші
Опубліковано: (2020)

Thermoelectric properties, Shubnikov–de Haas effect and mobility of charged carriers in telluride and selenide of bismuth and antimony and nanocomposite based on these materials
за авторством: V. A. Kulbachinskij, та інші
Опубліковано: (2017)

On charged impurity structures in liquid helium
за авторством: A. A. Pelmenev, та інші
Опубліковано: (2016)

On charged impurity structures in liquid helium
за авторством: Pelmenev, A.A., та інші
Опубліковано: (2016)

Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)

Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)

NMR relaxation rate of a quantum spin chain with an impurity
за авторством: A. A. Zvyagin
Опубліковано: (2012)

Dependence of the CdTe melting threshold on the pulse duration and wavelength of laser radiation and the parameters of non-equilibrium charge carriers
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Dependence of the CdTe melting threshold on the pulse duration and wavelength of laser radiation and the parameters of non-equilibrium charge carriers
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2017)

The dislocations on the surface of the earth as a result of the strong earthquakes in the western tien shan
за авторством: Kh. L. Khamidov
Опубліковано: (2016)

Surface scattering of charge carriers and surface electronic states
за авторством: S. V. Sologub, та інші
Опубліковано: (2015)

Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon
за авторством: Timokhov, D.F., та інші
Опубліковано: (2003)

Estimation of frequency characteristics of photodiode determined by motion of charge carriers in the space-charge region
за авторством: Danilyuk, A.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Quantum effects in a germanium quantum well with ultrahigh carrier mobility
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2019)

Photogeneration of charge carriers in thin films of PEPC–S60 nanocomposites
за авторством: M. A. Zabolotnyi, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Charge carrier scattering mechanisms in thermoelectric PbTe:Sb
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)

Charge carrier scattering mechanisms in thermoelectric PbTe:Sb
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)

New features of pressure relaxation in nonequilibrium helium crystals
за авторством: A. P. Birchenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Absorption and relaxation of the laser pulse energy in substance (review)
за авторством: Yu. Semchuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Thermoelectric heating and cooling in semiconductor structures: nonequilibrium charge carriers. (Review)
за авторством: Yu. Titov, та інші
Опубліковано: (2014)

Accumulation of spin-polarized states of charge carriers and a spintronic battery
за авторством: L. A. Pastur, та інші
Опубліковано: (2020)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)

Pressure relaxation and diffusion of vacancies in rapidly grown helium crystals
за авторством: A. P. Birchenko, та інші
Опубліковано: (2018)