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Relaxation changes in the mobility and concentration of charge carriers in Si with deep impurity levels under the action of pulsed pressure

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	O. O. Mamatkarimov, Kh. Khamidov, R. G. Zhabborov, U. A. Tujchiev, Kh. Kuchkarov
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2012
Schriftenreihe:	Physical surface engineering
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000908780
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