About peculiarities of the anisotropy of thermoelectric effects in semiconductors, connected with the specific manifestations of many valleys
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | P. I. Baranskyi, H. P. Haidar |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287276 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Anisotropy of thermoelectric properties of multi-valley semiconductors of cubic symmetry under the influence of external directional effects
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2014) -
Anisotropic scattering theory and relevant problems of the kinetics of electron processes in many-valley semiconductors
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2013) -
Physical factors that cause the anisotropy of thermoelectromotive and the anisotropy of mobility in multivalley semiconductors
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2013) -
On the methodology of determining the transverse tensoresistance in multi-valley semiconductors
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2022) -
Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n-Si
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)