About peculiarities of the anisotropy of thermoelectric effects in semiconductors, connected with the specific manifestations of many valleys
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | P. I. Baranskyi, H. P. Haidar |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287276 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Anisotropy of thermoelectric properties of multi-valley semiconductors of cubic symmetry under the influence of external directional effects
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2014)
Physical factors that cause the anisotropy of thermoelectromotive and the anisotropy of mobility in multivalley semiconductors
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2013)
Anisotropic scattering theory and relevant problems of the kinetics of electron processes in many-valley semiconductors
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2013)
On the methodology of determining the transverse tensoresistance in multi-valley semiconductors
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2022)
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2022)
Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n-Si
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Radiation and thermal stability of thin layers, he-terosystems and nanostructures, created on the basis of elementary semiconductors and semiconductor com-pounds
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2010)
Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Concentration and temperature dependences of thermoelectric characteristics of the elastically deformed silicon
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2018)
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)
Manifestation of perpendicular anisotropy in nanogranular ferromagnetic films
за авторством: S. M. Rjabchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: S. M. Rjabchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Anisotropy of Thermoelectric Properties of Bi and Bi—Sn Nanowires for Thermoelectric Applications
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of thermoelectric material anisotropy on the electric conductivity and lattice thermal conductivity of its contacting particles
за авторством: P. V. Gorsky, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: P. V. Gorsky, та інші
Опубліковано: (2013)
About manifestation of the piezojunction effect in diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2003)
Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
Thermoelectric device for the diagnosis of inflammatory processes and neurological manifestations of vertebral osteochondrosis
за авторством: L. I. Anatychuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: L. I. Anatychuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Thermoelectric device for the diagnosis of inflammatory processes and neurological manifestations of vertebral osteochondrosis
за авторством: L. I. Anatychuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: L. I. Anatychuk, та інші
Опубліковано: (2017)
About the nature of diffusion anisotropy in CdS crystals
за авторством: Borkovskaya, L.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Borkovskaya, L.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model
за авторством: Z. Z. Alisultanov
Опубліковано: (2013)
за авторством: Z. Z. Alisultanov
Опубліковано: (2013)
Peculiarities of changes in the structure and electrophysical characteristics of n-Si under the effect of various thermal treatment regimes
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2020)
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2020)
Some thermoelectric features of conventional and transmutation doped silicon crystals
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
Specificity of the Regional Political Regime Formation and Manifestation in Lviv Oblast
за авторством: V. V. Yaremchuk
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. V. Yaremchuk
Опубліковано: (2017)
In-plane anisotropy effect on critical transition field in nanogranular films with perpendicular anisotropy
за авторством: M. M. Kulyk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: M. M. Kulyk, та інші
Опубліковано: (2015)
In-plane anisotropy effect on critical transition field in nanogranular films with perpendicular anisotropy
за авторством: M. M. Kulyk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: M. M. Kulyk, та інші
Опубліковано: (2015)
Anisotropy of thermoelectric properties of r-type nanostructured material based on (Bi, Sb)2Te3
за авторством: I. A. Drabkin, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. A. Drabkin, та інші
Опубліковано: (2013)
Creative leisure practices of modern adolescent youth: specificity, function, manifestation
за авторством: L. V. Ahamirian
Опубліковано: (2018)
за авторством: L. V. Ahamirian
Опубліковано: (2018)
Mud volcanism of mediterranean, Black and Caspian seas: specificity of development and manifestations
за авторством: E. F. Shnjukov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: E. F. Shnjukov, та інші
Опубліковано: (2017)
Effect of doping in n-ZrNiSn intermetallic semiconductor with Bi donor impurity on thermoelectric power factor Z*
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2012)
Automated hardware-softw are system for measurement of thermoelectric parameters of semiconductor materials
за авторством: B. S. Dzundza
Опубліковано: (2018)
за авторством: B. S. Dzundza
Опубліковано: (2018)
Automated hardware-softw are system for measurement of thermoelectric parameters of semiconductor materials
за авторством: B. S. Dzundza
Опубліковано: (2018)
за авторством: B. S. Dzundza
Опубліковано: (2018)
Thermoelectric heating and cooling in semiconductor structures: nonequilibrium charge carriers. (Review)
за авторством: Yu. Titov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Yu. Titov, та інші
Опубліковано: (2014)
PECULIARITIES OF THE MANIFESTATION AND INFLUENCE ON THE ELECTROMAGNETIC PROCESSES OF THE TRANSIENT SKIN EFFECT IN METAL CONDUCTORS WITH PULSED CURRENT
за авторством: Baranov, M. I.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Baranov, M. I.
Опубліковано: (2019)
Thermoelectric figure of merit of semimetal and semiconductor Bi1–xSbx alloy foils
за авторством: A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2018)
Parameter optimization of thermoelectric material based on n-ZrNiSn intermetallic semiconductor
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2013)
Socio-economic Nature of Transactions, Their Types and Specific Features of Manifestation in the Labour Market
за авторством: A. V. Glushach, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Glushach, та інші
Опубліковано: (2014)
Revolution of dignity as a uniting factor of the ukrainian denominations and specific manifestation of ecumenism
за авторством: O. Horkusha, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. Horkusha, та інші
Опубліковано: (2015)
Mineralogical and Geochemical Peculiarities of the Gubovka Gold Ore Manifestation of Ukraine Shield
за авторством: L. P. Zaborovskaja, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: L. P. Zaborovskaja, та інші
Опубліковано: (2013)
Manifestation of polaronic effects in Josephson currents
за авторством: A. V. Parafilo, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Parafilo, та інші
Опубліковано: (2013)
The production technology peculiarities of the anisotropic thermoelectric modules
за авторством: A. A. Ashcheulov, та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: A. A. Ashcheulov, та інші
Опубліковано: (1998)
Peculiarities of the radiation-induced bystander effect manifestation in human peripheral blood lymphocytes due to action of astaxantine
за авторством: S. R. Rushkovskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. R. Rushkovskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
Specifics of the national Japanese literature languiage formation and their connections with speech
за авторством: Yu. Komisarov
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yu. Komisarov
Опубліковано: (2008)
Схожі ресурси
-
Anisotropy of thermoelectric properties of multi-valley semiconductors of cubic symmetry under the influence of external directional effects
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2014) -
Physical factors that cause the anisotropy of thermoelectromotive and the anisotropy of mobility in multivalley semiconductors
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2013) -
Anisotropic scattering theory and relevant problems of the kinetics of electron processes in many-valley semiconductors
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2013) -
On the methodology of determining the transverse tensoresistance in multi-valley semiconductors
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2022) -
Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n-Si
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)