Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2011
Автори: A. K. Rana, N. Chand, V. Kapoor
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: 2011
Назва видання:Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349496
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS