Diluted magnetic layered semiconductor InSe:Mn with high Curie temperature
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | G. V. Lashkarev, V. I. Sichkovskyi, M. V. Radchenko, P. Aleshkevych, O. I. Dmitriev, P. E. Butorin, Z. D. Kovalyuk, R. Szymczak, A. Ślawska-Waniewska, N. Nedelko, R. Yakiela, A. M. Balagurov, A. I. Beskrovnyy, W. Dobrowolski |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349735 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Diluted magnetic layered semiconductor InSe:Mn with high Curie temperature
за авторством: Lashkarev, G.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Lashkarev, G.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Determining the gaussian distribution width of Curie-Weiss temperatures and relaxation times
за авторством: Skulski, R.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Skulski, R.
Опубліковано: (1999)
Peculiarities of the volume magnetostriction in La₁₋xSrxMnO₃ in the Curie point region
за авторством: Koroleva, L.I., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Koroleva, L.I., та інші
Опубліковано: (2001)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2012)
Ferromagnetic ordering in diluted magnetic semiconductors
за авторством: Slobodskyy, A.H., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Slobodskyy, A.H., та інші
Опубліковано: (2002)
The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2011)
The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2011)
Paramagnetic Curie Temperature and Indirect Exchange Interaction in REM—In Systems
за авторством: Kh. O. Shakarov
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kh. O. Shakarov
Опубліковано: (2013)
Electrical properties of fast cooled InSe single crystals
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Ferromagnetic transition in diluted magnetic semiconductors
за авторством: Dietl, T.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Dietl, T.
Опубліковано: (1999)
Magnetic and magnetocaloric properties of the La₀.₉–xAgxMn₁.₁O₃ compounds
за авторством: Zubov, E., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Zubov, E., та інші
Опубліковано: (2017)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
Magnetoresistance of electrons in diluted magnetic semiconductor Volcano ring
за авторством: A. M. Babanlı
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. M. Babanlı
Опубліковано: (2019)
The magnetic domain structure properties in diluted magnetic semiconductors
за авторством: V. A. Stephanovich, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. A. Stephanovich, та інші
Опубліковано: (2020)
The magnetic domain structure properties in diluted magnetic semiconductors
за авторством: V. A. Stephanovich, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. A. Stephanovich, та інші
Опубліковано: (2020)
Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe
за авторством: Tkachuk, I.G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Tkachuk, I.G., та інші
Опубліковано: (2018)
Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2004)
Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)
Effect of dopants and heating temperatures on demagnetization and Curie point of thermomagnetic powder materials based on iron-nickel alloys
за авторством: Ya. A. Sytnyk, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ya. A. Sytnyk, та інші
Опубліковано: (2018)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)
Ferromagnetism induced in diluted A₁₋xMnxB semiconductors
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)
Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2011)
Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2011)
Electronic structure of chromium-doped lead telluride-based diluted magnetic semiconductors
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2011)
Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)
Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)
Magnetic properties of diluted magnetic semiconductors Pb1–yFeyTe
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2017)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Magnetic hysteresis and Curie temperature in nickel-chromium ferrites synthesized by sol-gel auto-combustion method
за авторством: V. S. Bushkova
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. S. Bushkova
Опубліковано: (2017)
Magnetic hysteresis and Curie temperature in nickel-chromium ferrites synthesized by sol-gel auto-combustion method
за авторством: V. S. Bushkova
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. S. Bushkova
Опубліковано: (2017)
Ferrimagnetism of dilute Ising antiferromagnets
за авторством: P. N. Timonin
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. N. Timonin
Опубліковано: (2014)
Computer simulation of the weakly diluted magnetic nanostructures
за авторством: A. B. Babaev, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. B. Babaev, та інші
Опубліковано: (2016)
Band structure of [100] surface of Cd₁₋x Mn x Te diluted magnetic semiconductor
за авторством: Melnichuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Melnichuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Molecular-field Approximation in the theory of ferromagnetic phase transition in diluted magnetic semiconductors
за авторством: Yu. H. Semenov, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Yu. H. Semenov, та інші
Опубліковано: (2021)
Molecular-field Approximation in the theory of ferromagnetic phase transition in diluted magnetic semiconductors
за авторством: Yu. G. Semenov, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Yu. G. Semenov, та інші
Опубліковано: (2021)
Effect of screening on the phonon–polaron states in a nanotube of diluted magnetic semiconductor
за авторством: Seyid-Rzayeva, S.M.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Seyid-Rzayeva, S.M.
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
Diluted magnetic layered semiconductor InSe:Mn with high Curie temperature
за авторством: Lashkarev, G.V., та інші
Опубліковано: (2011) -
Determining the gaussian distribution width of Curie-Weiss temperatures and relaxation times
за авторством: Skulski, R.
Опубліковано: (1999) -
Peculiarities of the volume magnetostriction in La₁₋xSrxMnO₃ in the Curie point region
за авторством: Koroleva, L.I., та інші
Опубліковано: (2001) -
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012) -
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2012)