Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | M. V. Sopinskyy, I. Z. Indutnyi, K. V. Michailovska, P. E. Shepeliavy, V. M. Tkach |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349737 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films
за авторством: Sopinskyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Sopinskyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Nickel-induced enhancement of photo-luminescence in nc-Si-SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Michailovska, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: K. V. Michailovska, та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (2009)
Electron field emission from SiOx films
за авторством: Evtukh, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Evtukh, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
The influence of the periodic relief of the silicon substrate on polarization of photoluminescence observed in nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2017)
Temperature and laser annealing of nonstoichiometric SiOx films
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Control of photoluminescence spectra of porous nc-Si-SiOx structures by vapor treatment
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
The use of porous SiOx films in sensors based on surface plasmon resonance
за авторством: Ye. Vakariuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. Vakariuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Reversible photodarkening in composite As2S3/SiOx nanostructures
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2011)
Photoluminescence of porous nc-Si—SiOx nanostructures treated by HF vapors
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
Influence of SiOx-film deposited by thermal evaporation on the near-bandedge luminescence of mono-crystalline silicon
за авторством: N. A. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: N. A. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2010)
Theoretical study on laser annealing of non-stoichiometric SiOX films
за авторством: O. O. Gavrylyuk
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. O. Gavrylyuk
Опубліковано: (2014)
Kinetic of photoluminescence of porous nc-Si–SiOx structures
за авторством: E. V. Mikhajlovskaja, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: E. V. Mikhajlovskaja, та інші
Опубліковано: (2012)
Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO2(Si) films under thermal and laser annealing
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2014)
Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Photoluminescence properties of silicon nanoparticlesinmultilayered (SiOx-SiOy)n structures with porousinsulatinglayers
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2018)
Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films
за авторством: I. P. Lisovskyy, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. P. Lisovskyy, та інші
Опубліковано: (2011)
Температурний та лазерний відпал нестехіометричних плівок SiOx
за авторством: Гаврилюк, О.О., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Гаврилюк, О.О., та інші
Опубліковано: (2013)
Laser heating effect on Raman spectra of Si nanocrystals embedded into SiOx matrix
за авторством: A. S. Nikolenko
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. S. Nikolenko
Опубліковано: (2013)
Nanostructuring the SiOx layers by using laser-induced self-organization
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2017)
Non-stoichiometric silicon oxides SiOx (x < 2)
за авторством: O. V. Filonenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. V. Filonenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Laser-stimulated phase transformations in thin SiOx and CNx–Ni layers
за авторством: L. L. Fedorenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: L. L. Fedorenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Polarization memory of the luminescence related with Si nanoparticles embedded into oxide matrix
за авторством: K. V. Michailovska, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: K. V. Michailovska, та інші
Опубліковано: (2015)
Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії
за авторством: Козирев, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Козирев, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2010)
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Growth of the photonic nanostruc-tures using interference lithography and oblique deposition in vacuum
за авторством: I. Z. Indutnyi, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. Z. Indutnyi, та інші
Опубліковано: (2011)
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X&lt;2
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2010)
FORMATION OF CIRCULARLY POLARIZED WAVE BY THE OBLIQUE IMPEDANCE WIRE DIPOLE LOCATED OVER THE RECTANGULAR SCREEN
за авторством: Yeliseyeva, N. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Yeliseyeva, N. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Formation of Circularly Polarized Wave by the Oblique Impedance Wire Dipole Located over the Rectangular Screen
за авторством: N. P. Eliseeva, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: N. P. Eliseeva, та інші
Опубліковано: (2016)
Polarization Conversion on a Grating with Chiral Layer
за авторством: Panin, S. B., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Panin, S. B., та інші
Опубліковано: (2013)
Ion plasma deposition and optical properties of SiC films
за авторством: Semenov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Semenov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016)
CdS films on the porous substruction of Si obtained by chemical surface deposition
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2018)
Peculiarities and asymmetry of polarization reversal in Pt/PZT-film/Pt:Ti/SiO₂/Si-substrate structures in pyroelectric response investigations
за авторством: Bravina, S.L., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bravina, S.L., та інші
Опубліковано: (2004)
On the mechanism of chip formation in oblique cutting of metals
за авторством: A. A. Vinogradov
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. A. Vinogradov
Опубліковано: (2014)
On the mechanism of chip formation in oblique cutting of metals
за авторством: A. A. Vinogradov
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. A. Vinogradov
Опубліковано: (2014)
SEISMIC-IONOSPHERIC EFFECTS: RESULTS OF RADIO SOUNDINGS AT OBLIQUE INCIDENCE
за авторством: Luo, Y., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Luo, Y., та інші
Опубліковано: (2020)
Seismic-Ionospheric Effects: Results of Radio Soundings at Oblique Incidence
за авторством: Y. Luo, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Y. Luo, та інші
Опубліковано: (2020)
Vitamin B 12 -functionalized patterned Si surface for solar energy conversion
за авторством: P. S. Smertenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: P. S. Smertenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Схожі ресурси
-
Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films
за авторством: Sopinskyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2011) -
Nickel-induced enhancement of photo-luminescence in nc-Si-SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Michailovska, та інші
Опубліковано: (2014) -
Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (2009) -
Electron field emission from SiOx films
за авторством: Evtukh, А.А., та інші
Опубліковано: (2003) -
The influence of the periodic relief of the silicon substrate on polarization of photoluminescence observed in nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2017)