Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | H. H. Amer, M. Elkordy, M. Zien, A. Dahshan, R. A. Elshamy |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349741 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films
за авторством: Amer, H.H., та інші
Опубліковано: (2011) -
Photoinduced etching of thin films of chalcogenide glasses
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2012) -
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017) -
Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films
за авторством: Claudio, D., та інші
Опубліковано: (2005) -
Structural investigation of As-Se chalcogenide thin films with different compositions: formation, characterization and peculiarities of volume and near-surface nanolayers
за авторством: Kondrat, O., та інші
Опубліковано: (2017)