Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films

Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
Hauptverfasser:	H. H. Amer, M. Elkordy, M. Zien, A. Dahshan, R. A. Elshamy
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2011
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349741
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