Зображення обкладинки

Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2011
Автор:	I. I. Boiko
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2011
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349826
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)

Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)

Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)

Electron-electron drag in crystals with a multi-valley band. Magnetoresistivity and Hall-effect
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)

Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Stress-induced effects in light scattering by plasmons in p-type germanium
за авторством: Poroshin, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)

Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)

Hall study of conductive channels formed in germanium by beams of high-energy light ions
за авторством: S. V. Lysochenko, та інші
Опубліковано: (2021)

Hall study of conductive channels formed in germanium by beams of high-energy light ions
за авторством: S. V. Lysochenko, та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)

Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)

Electron tunneling in the germanium/silicon heterostructure with germanium quantum dots: theory
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

The impact of heavy Ga doping on superconductivity in germanium
за авторством: Skrotzki, R., та інші
Опубліковано: (2011)

The impact of heavy Ga doping on superconductivity in germanium
за авторством: R. Skrotzki, та інші
Опубліковано: (2011)

Configuration transitions of divacancies in silicon and germanium
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)

Anomalies of magnetoresistance in Ce-based heavy fermion compounds
за авторством: N. E. Sluchanko, та інші
Опубліковано: (2015)

Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)

Electron-electron drag in crystals with multivalley band
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)

Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)

Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)

Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)

Hall and magnetoresistance factors in Bi0.88Sb0.12 single crystal doped with Te
за авторством: Kh. A. Gasanova, та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)

Specific thermoemf and Hall-effect in crystals with monopolar conductivity
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)

On the theory of the binding energy of exciton quasimolecules in germanium/silicon double quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2022)

Strain induced effects in p-type silicon whiskers at low temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)

Anisotropy and non-linearity of absorption of an intensive IR light by free electrons in germanium
за авторством: Vasetskii, V.M., та інші
Опубліковано: (2005)

Exciton spectroscopy with a spatially separated electron and a hole in a Ge/Si heterostructure with germanium quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnij
Опубліковано: (2018)

Influence of neutron irradiation on the modulation processes of the base region of the silicon p+nn+-structure
за авторством: A. Z. Rakhmatov
Опубліковано: (2013)