Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | Yu. A. Asnis, P. I. Baranskyi, V. M. Babych, N. V. Piskun, I. I. Statkevych |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363684 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Refining of silicon from background and alloying impurities in electron beam crucibleless zonal melting
за авторством: E. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011) -
High-temperature mechanical properties of β-stabilized intermetallic alloy of TiAl system after induction zone melting
за авторством: L. M. Lobanov, та інші
Опубліковано: (2020) -
Refining of silicon single crystals in their growing by the method of electron beam crucibleless zonal melting
за авторством: E. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011) -
Improvement of mechanical properties of β-stabilized intermetallics of TiAl system by zone recrystallization method
за авторством: L. M. Lobanov, та інші
Опубліковано: (2020) -
Regulation of the structure and phase composition of titanium aluminides produced by zone melting
за авторством: E. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2017)