Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | Yu. A. Asnis, P. I. Baranskyi, V. M. Babych, N. V. Piskun, I. I. Statkevych |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363684 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Refining of silicon from background and alloying impurities in electron beam crucibleless zonal melting
за авторством: E. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: E. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011)
Refining of silicon single crystals in their growing by the method of electron beam crucibleless zonal melting
за авторством: E. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: E. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011)
Modification of radiation defects in Si and Ge by background impurity
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)
Distribution of interstitial impurities in chromium coating, obtained by ion beam assisted deposition
за авторством: A. Guglya, та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: A. Guglya, та інші
Опубліковано: (2003)
Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity
за авторством: D. A. Zakharchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. A. Zakharchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Doping of a thermoelectric material by electroactive impurities
за авторством: I. I. Pavlovych, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: I. I. Pavlovych, та інші
Опубліковано: (2010)
High-temperature mechanical properties of β-stabilized intermetallic alloy of TiAl system after induction zone melting
за авторством: L. M. Lobanov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: L. M. Lobanov, та інші
Опубліковано: (2020)
Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2015)
The Energy Spectrum of Graphene Doped with Nitrogen Impurity
за авторством: S. P. Repetskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. P. Repetskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Structure and properties of Ti – Al – V cast titanium alloys obtained by electron-beam melting
за авторством: M. M. Voron, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: M. M. Voron, та інші
Опубліковано: (2015)
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)
Mass-separation of impurities in the ion beam systems with reversed magnetic beam focusing
за авторством: Girka, O.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Girka, O.I., та інші
Опубліковано: (2012)
ELECTROCHEMICAL SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION OF Tа2Si OBTAINED FROM CHLORIDE-FLUORIDE MELTS
за авторством: Kuleshov, Serhii, та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Kuleshov, Serhii, та інші
Опубліковано: (2025)
Influence of local heat treatment on mechanical characteristics of welded joints of intermetallic TiAl system obtained by electron beam welding
за авторством: L. M. Lobanov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: L. M. Lobanov, та інші
Опубліковано: (2020)
isk A.E. Melting of ingots of Ti–Nb–Si–Zr system titanium alloys by the method of electron beam melting
за авторством: N. I. Grechanjuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. I. Grechanjuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Relaxation of Magnetosensitive Impurities in Single-Crystalline Silicon
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)
Mid-IR impurity absorption in As₂S₃ chalcogenide glasses doped with transition metals
за авторством: Paiuk, A.P., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Paiuk, A.P., та інші
Опубліковано: (2012)
EFFECT OF THE APPEARANCE OF ANOMALOUS PROPERTIES OF METALOXIDE FRAMEWORK COMPOUNDS DURING THEIR DOPING IN THE REGION OF LOW ALLOYING IMPURITY CONTENT
за авторством: Korduban, Oleksandr, та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Korduban, Oleksandr, та інші
Опубліковано: (2025)
Crucibles for electron-beam skull melting
за авторством: S. V. Ladokhin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. V. Ladokhin, та інші
Опубліковано: (2017)
Production of titanium ingots with regulated oxygen content by electron beam melting
за авторством: S. V. Akhonin, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: S. V. Akhonin, та інші
Опубліковано: (2021)
Electron beam melting of heat-resistant titanium composites of Ti-Si–Al–Zr–Sn system
за авторством: S. V. Akhonin, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Akhonin, та інші
Опубліковано: (2019)
Obtaining of Doped Industrial Oil for Equipment of Power Plants
за авторством: Y. S. Mysak, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Y. S. Mysak, та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of mold temperature on the structure and properties of castings of a titanium alloy VT6, obtained by electron-beam melting
за авторством: M. M. Voron, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Voron, та інші
Опубліковано: (2018)
Electron beam welding of heat exchangers with single and double refraction of electron beam
за авторством: L. A. Kravchuk, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: L. A. Kravchuk, та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of magnetic field on the reconstruction of the defect-impurity state and сathodoluminescence in Si/SiO₂ structure
за авторством: Steblenko, L.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Steblenko, L.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of magnetic field on the reconstruction of the defect-impurity state and sathodoluminescence in Si/SiO2 structure
за авторством: L. P. Steblenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: L. P. Steblenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2016)
Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
Methods of Ti-Si and Ti-Si-X systems alloys melting
за авторством: N. N. Kuzmenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: N. N. Kuzmenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Mid-IR impurity absorption in As2S3 chalcogenide glasses doped with transition metals
за авторством: A. P. Paiuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. P. Paiuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Peculiarities of diffusion thermopower with impurity electron topological transition in heavily doped bismuth wires
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2014)
Concentration dependences of dielectric parameters of impurity-doped K2SO4 crystals
за авторством: Yo. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Yo. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)
Concentration dependences of dielectric parameters of impurity-doped K2SO4 crystals
за авторством: V. Y. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: V. Y. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)
High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)
Simulation of electron beam melting of titanium in the skull crucible
за авторством: A. I. Glukhenkij, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. I. Glukhenkij, та інші
Опубліковано: (2017)
Kinetics of changes in charge carrier concentration with doping in lead telluride-based alloys with transition metal impurities
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2015)
Mathematical modeling of electron beam melting of molybdenum
за авторством: V. O. Mushegjan
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. O. Mushegjan
Опубліковано: (2011)
Electron beam melting of reduced concentrate of molybdenum
за авторством: V. O. Mushegjan
Опубліковано: (2009)
за авторством: V. O. Mushegjan
Опубліковано: (2009)
Схожі ресурси
-
Refining of silicon from background and alloying impurities in electron beam crucibleless zonal melting
за авторством: E. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011) -
Refining of silicon single crystals in their growing by the method of electron beam crucibleless zonal melting
за авторством: E. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011) -
Modification of radiation defects in Si and Ge by background impurity
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013) -
Distribution of interstitial impurities in chromium coating, obtained by ion beam assisted deposition
за авторством: A. Guglya, та інші
Опубліковано: (2003) -
Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity
за авторством: D. A. Zakharchuk, та інші
Опубліковано: (2014)