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Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
Hauptverfasser:	Yu. A. Asnis, P. I. Baranskyi, V. M. Babych, N. V. Piskun, I. I. Statkevych
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2011
Schriftenreihe:	Optoelectronics and Semiconductor Technique
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363684
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