Reversible photodarkening in composite As2S3/SiOx nanostructures
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автори: | V. A. Danko, I. Z. Indutnyi, O. F. Kolomys, V. V. Strelchuk, Ye. Shepeliavyi |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2011
|
Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363691 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Photoluminescence of porous nc-Si—SiOx nanostructures treated by HF vapors
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010) -
Nickel-induced enhancement of photoluminescence in nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Michailovska, K.V., та інші
Опубліковано: (2014) -
Nickel-induced enhancement of photo-luminescence in nc-Si-SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Michailovska, та інші
Опубліковано: (2014) -
Relaxation of photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ composite layers
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (1999) -
Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (2009)