Reversible photodarkening in composite As2S3/SiOx nanostructures
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | V. A. Danko, I. Z. Indutnyi, O. F. Kolomys, V. V. Strelchuk, Ye. Shepeliavyi |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363691 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Photoluminescence of porous nc-Si—SiOx nanostructures treated by HF vapors
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
Nickel-induced enhancement of photoluminescence in nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Michailovska, K.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Michailovska, K.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Nickel-induced enhancement of photo-luminescence in nc-Si-SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Michailovska, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: K. V. Michailovska, та інші
Опубліковано: (2014)
Relaxation of photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ composite layers
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (1999)
Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (2009)
The influence of the periodic relief of the silicon substrate on polarization of photoluminescence observed in nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2017)
Photoluminescence properties of silicon nanoparticlesinmultilayered (SiOx-SiOy)n structures with porousinsulatinglayers
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2018)
Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films
за авторством: Sopinskyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Sopinskyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Control of photoluminescence spectra of porous nc-Si-SiOx structures by vapor treatment
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
Kinetic of photoluminescence of porous nc-Si–SiOx structures
за авторством: E. V. Mikhajlovskaja, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: E. V. Mikhajlovskaja, та інші
Опубліковано: (2012)
The use of porous SiOx films in sensors based on surface plasmon resonance
за авторством: Ye. Vakariuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. Vakariuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Nanostructuring the SiOx layers by using laser-induced self-organization
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2017)
Nanostructuring the SiOₓ layers by using laser-induced self-organization
за авторством: Steblova, O.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Steblova, O.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films
за авторством: M. V. Sopinskyy, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: M. V. Sopinskyy, та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of chemical and radiofrequency plasma treatment on photoluminescence of SiOx films
за авторством: Indutnyy, I.Z., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Indutnyy, I.Z., та інші
Опубліковано: (2006)
Electron field emission from SiOx films
за авторством: Evtukh, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Evtukh, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Optical study of thermally induced phase separation in evaporated SiOx films
за авторством: Indutnyy, I.Z., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Indutnyy, I.Z., та інші
Опубліковано: (2004)
Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films
за авторством: I. P. Lisovskyy, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. P. Lisovskyy, та інші
Опубліковано: (2011)
Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур
за авторством: Михайловская, Е.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Михайловская, Е.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films
за авторством: Lisovskyy, I.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Lisovskyy, I.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Temperature and laser annealing of nonstoichiometric SiOx films
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx
за авторством: Данько, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Данько, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Температурний та лазерний відпал нестехіометричних плівок SiOx
за авторством: Гаврилюк, О.О., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Гаврилюк, О.О., та інші
Опубліковано: (2013)
Теоретичне вивчення лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx
за авторством: Gavrylyuk, O. O.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Gavrylyuk, O. O.
Опубліковано: (2014)
Chemical composition and light emission properties of Si-rich-SiOx layers prepared by magnetron sputtering
за авторством: Khomenkova, L., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Khomenkova, L., та інші
Опубліковано: (2007)
Non-stoichiometric silicon oxides SiOx (x < 2)
за авторством: O. V. Filonenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. V. Filonenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF
за авторством: Данько, В.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Данько, В.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Theoretical study on laser annealing of non-stoichiometric SiOX films
за авторством: O. O. Gavrylyuk
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. O. Gavrylyuk
Опубліковано: (2014)
Laser heating effect on Raman spectra of Si nanocrystals embedded into SiOx matrix
за авторством: A. S. Nikolenko
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. S. Nikolenko
Опубліковано: (2013)
Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO2(Si) films under thermal and laser annealing
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2014)
Disappearance of aligning properties of deposited SiOx films as caused by external factors
за авторством: Kolomzarov, Yu., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Kolomzarov, Yu., та інші
Опубліковано: (2006)
Laser-stimulated phase transformations in thin SiOx and CNx–Ni layers
за авторством: L. L. Fedorenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: L. L. Fedorenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of SiOx-film deposited by thermal evaporation on the near-bandedge luminescence of mono-crystalline silicon
за авторством: N. A. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: N. A. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2010)
Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния
за авторством: Власенко, Н.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Власенко, Н.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії
за авторством: Козирев, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Козирев, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2010)
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X&lt;2
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2010)
Photolithography on photostimulated reversible and transient structural changes in CHG
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2015)
Схожі ресурси
-
Photoluminescence of porous nc-Si—SiOx nanostructures treated by HF vapors
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010) -
Nickel-induced enhancement of photoluminescence in nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Michailovska, K.V., та інші
Опубліковано: (2014) -
Nickel-induced enhancement of photo-luminescence in nc-Si-SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Michailovska, та інші
Опубліковано: (2014) -
Relaxation of photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ composite layers
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (1999) -
Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (2009)