Deep attachment levels in In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructures with quantum dots
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | O. V. Vakulenko, S. L. Holovynskyi, S. V. Kondratenko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473581 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2016)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)
Effect of quantum dot shape of the GaAs/AlAs heterostructure on interlevel hole light absorption
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2013)
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
Magnetooptics of heterostructures with InGaAs/GaAs quantum well and a ferromagnetic Mn deltalayer
за авторством: S. V. Zajtsev
Опубліковано: (2012)
за авторством: S. V. Zajtsev
Опубліковано: (2012)
Low-temperature specific heat of magnetic superconductors Dy0.6Y0.4Rh3.85Ru0.15B4 and Dy0.6Y0.4Rh4B4
за авторством: A. V. Terekhov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Terekhov, та інші
Опубліковано: (2016)
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. M. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Nanosize nonlinear materials based on Ba0.6Sr0.4TiO3
за авторством: O. M. Suslov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. M. Suslov, та інші
Опубліковано: (2014)
Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2001)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
Study on phase characteristics of heterostructure por-Ga2O3/GaAs
за авторством: S. S. Kovachov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: S. S. Kovachov, та інші
Опубліковано: (2024)
Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
за авторством: A. V. Gorbunov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Gorbunov, та інші
Опубліковано: (2016)
Эффект Воллебена в магнитных сверхпроводниках Dy₁₋xYxRh₄B₄ (x = 0,2; 0,3; 0,4 и 0,6)
за авторством: Дмитриев, В.М., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Дмитриев, В.М., та інші
Опубліковано: (2012)
Temperature studies of optical parameters in (Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4 thin films
за авторством: I. P. Studenyak, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: I. P. Studenyak, та інші
Опубліковано: (2015)
The Volleben effect in magnetic superconductors Dy1–xYxRh4B4 (x = 0.2, 0.3, 0.4 and 0.6)
за авторством: V. M. Dmitriev, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. M. Dmitriev, та інші
Опубліковано: (2012)
Suppression of superconductivity of Dy0.6Y0.4Rh3.85Ru0.15B4 in inclined magnetic fields
за авторством: A. V. Terekhov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. V. Terekhov, та інші
Опубліковано: (2015)
Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
Magnetic field-induced phase transitions in the antiferromagnet Nd0.6Dy0.4Fe3(BO3)4
за авторством: G. A. Zvyagina, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: G. A. Zvyagina, та інші
Опубліковано: (2014)
Magnetic ordering and features of its coexistence with superconductivity in Dy0.6Y0.4Rh3.85Ru0.15B4
за авторством: A. V. Terekhov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. V. Terekhov, та інші
Опубліковано: (2019)
Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
Features of the excess conductivity behavior in a magnetic superconductor Dy0.6Y0.4Rh3.85Ru0.15B4
за авторством: A. L. Solovev, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. L. Solovev, та інші
Опубліковано: (2019)
Electro-optic effect in GaN/Al0. 15Ga0. 85N single quantum wells for optical switch
за авторством: A. Elkadadra, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: A. Elkadadra, та інші
Опубліковано: (2010)
Photo-induced effects in (Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4 thin films and multilayers with gold nanoparticles
за авторством: Yu. Yu. Neimet, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Yu. Yu. Neimet, та інші
Опубліковано: (2015)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
Srystal structure of the YNi0.83Ga1.17 and YNiIn0.15Ga0.85 compounds
за авторством: M. Horiacha, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: M. Horiacha, та інші
Опубліковано: (2020)
Point-contact Andreev reflection spectroscopy of a magnetic superconductor Dy0.6Y0.4Rh3.85Ru0.15B4
за авторством: L. F. Rybaltchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: L. F. Rybaltchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012) -
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2016) -
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016) -
Effect of quantum dot shape of the GaAs/AlAs heterostructure on interlevel hole light absorption
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2013) -
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)