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Deep attachment levels in In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructures with quantum dots

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
Hauptverfasser:	O. V. Vakulenko, S. L. Holovynskyi, S. V. Kondratenko
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2011
Schriftenreihe:	Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473581
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