Simulation of the Charge Carriers Distribution in the Active Region of the p-i-n-diodes by the Perturbation Theory Methods

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2021
Автори: Ya. Bomba, I. P. Moroz
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: 2021
Назва видання:Mathematical and computer modelling. Series: Technical sciences
Онлайн доступ:http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001384228
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Репозиторії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS