Simulation of the Charge Carriers Distribution in the Active Region of the p-i-n-diodes by the Perturbation Theory Methods
Збережено в:
| Дата: | 2021 |
|---|---|
| Автори: | Ya. Bomba, I. P. Moroz |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2021
|
| Назва видання: | Mathematical and computer modelling. Series: Technical sciences |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001384228 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Electrostatics of the nanowire radial p-i-n diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2019)
Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)
Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)
Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
Gunn Diode with Induced Channel in Active Region
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Accumulation of spin-polarized states of charge carriers and a spintronic battery
за авторством: L. A. Pastur, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: L. A. Pastur, та інші
Опубліковано: (2020)
Algebraic Morse theory and homological perturbation theory
за авторством: Sköldberg, E.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Sköldberg, E.
Опубліковано: (2018)
New perturbation theory in QED
за авторством: Filippov, G.M.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Filippov, G.M.
Опубліковано: (2007)
Step by Step Perturbation of Discrete Models of Immunology
за авторством: S. V. Baranovskyi, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: S. V. Baranovskyi, та інші
Опубліковано: (2022)
Influence of the behavior of charge carriers on the thermoelectric properties of PbTe:Bi thin films
за авторством: L. I. Nykyrui, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: L. I. Nykyrui, та інші
Опубліковано: (2018)
Effective minority carrier lifetime and distribution of steady-state excess minority carriers in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Influence of the behavior of charge carriers on the thermoelectric properties of PbTe:Bi thin films
за авторством: L. I. Nikiruj, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: L. I. Nikiruj, та інші
Опубліковано: (2018)
On the possibility to estimate the mobility edge position for charge carriers using single-particle averages
за авторством: Ju. V. Skripnik, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ju. V. Skripnik, та інші
Опубліковано: (2018)
Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2018)
The influence of charge carrier relaxation on spectra of donor-acceptor recombination taking into account Coulomb correlations
за авторством: N. A. Bogoslovskij, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: N. A. Bogoslovskij, та інші
Опубліковано: (2019)
Extensive/nonextensive statistics for pT distributions of various charged particles produced in p + p and A + A collisions in a Wide range of energies
за авторством: H. Yassin, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: H. Yassin, та інші
Опубліковано: (2022)
Extensive/nonextensive statistics for pT distributions of various charged particles produced in p + p and A + A collisions in a Wide range of energies
за авторством: H. Yassin, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: H. Yassin, та інші
Опубліковано: (2022)
On a Spectral In-verse Problem in Perturbation Theory
за авторством: V. A. Marchenko, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. A. Marchenko, та інші
Опубліковано: (2021)
Phenomenology of charged-particle multiplicity distributions
за авторством: A. Alkin
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. Alkin
Опубліковано: (2017)
Phenomenology of charged-particle multiplicity distributions
за авторством: A. Alkin
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. Alkin
Опубліковано: (2017)
Perturbation theory for electrical resistivity of liquid transition metals
за авторством: Shvets, V.T., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Shvets, V.T., та інші
Опубліковано: (2002)
Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)
Towards an analytical theory for charged hard spheres
за авторством: Blum, L., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Blum, L., та інші
Опубліковано: (2007)
Modeling the influence of diffusion perturbations on the development of infectious diseases taking the convection and immunotherapy into account
за авторством: S. V. Baranovskyi, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: S. V. Baranovskyi, та інші
Опубліковано: (2021)
Charge distribution functions for characterization of complex systems
за авторством: V. M. Gunko
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. M. Gunko
Опубліковано: (2021)
On the Perturbation Method in the Theory of Wave Scattering by Statistically Rough Surface
за авторством: Bryukhovetski, A. S.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Bryukhovetski, A. S.
Опубліковано: (2013)
Point-contact Andreev-reflection spectroscopy of doped manganites: Charge carrier spin-polarization and proximity effects (Review Article)
за авторством: Krivoruchko, V.N., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Krivoruchko, V.N., та інші
Опубліковано: (2013)
Dependence of the CdTe melting threshold on the pulse duration and wavelength of laser radiation and the parameters of non-equilibrium charge carriers
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Dependence of the CdTe melting threshold on the pulse duration and wavelength of laser radiation and the parameters of non-equilibrium charge carriers
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2018)
Thermoelectric properties, Shubnikov–de Haas effect and mobility of charged carriers in telluride and selenide of bismuth and antimony and nanocomposite based on these materials
за авторством: V. A. Kulbachinskij, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. A. Kulbachinskij, та інші
Опубліковано: (2017)
Computer simulation of low-energy high-current electron beam dynamics in a long plasma-filled diode
за авторством: Agafonov, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Agafonov, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)
What is liquid in random porous media: the Barker-Henderson perturbation theory
за авторством: Holovko, M.F., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Holovko, M.F., та інші
Опубліковано: (2015)
Influence of inter-electron scattering on the form of non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2019)
Influence of inter-electron scattering on the form of non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2018)
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2018)
S1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p + -n junctions
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2018)
Concerning the depletion width of a radial p-n junction and its influence on electrical properties of the diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2017)
On construction of integral mathematical models of two classes of nonlinear spatially distributed systems. I. the case of discretely defined outward-dynamical perturbations
за авторством: V. A. Stojan
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. A. Stojan
Опубліковано: (2019)
Схожі ресурси
-
Electrostatics of the nanowire radial p-i-n diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2019) -
Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019) -
Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019) -
Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015) -
Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)