Simulation of the Charge Carriers Distribution in the Active Region of the p-i-n-diodes by the Perturbation Theory Methods
Gespeichert in:
| Datum: | 2021 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2021
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| Schriftenreihe: | Mathematical and computer modelling. Series: Technical sciences |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001384228 |
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| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |