Зображення обкладинки

The process of forming the polycrystalline silicon wafer from the powder raw material and analyzing the impurity composition of their surface

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2011
Автори:	R. Aliev, L. Olimov, E. Mukhtarov, Zh. Alieva
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2011
Назва видання:	Physical surface engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000889687
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Analyzing silicon for the content of oxygen, nitrogen and hydrogen impurities
за авторством: R. V. Kozin, та інші
Опубліковано: (2024)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments
за авторством: Gorbach, T.Ya., та інші
Опубліковано: (1998)

Electrical properties intergranular boundaries in the volume of polycrystalline silicon
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013)

Microstructure of intergranular boundaries in polycrystalline silicon and its effect on the transport of charge carriers
за авторством: B. M. Abdurakhmanov, та інші
Опубліковано: (2010)

Properties of diamond polycrystalline composite material obtained in the diamond-graphene-silicon system
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)

A non-destructive method for measuring the depth of occurrence of the p-n junction of semiconductor photoelectric structures
за авторством: R. Aliev, та інші
Опубліковано: (2010)

Model of smoothing roughness on GaAs wafer surface by using nonabrasive chemical-and-mechanical polishing
за авторством: A. V. Fomin, та інші
Опубліковано: (2017)

Switching of current and voltage when heating non-transition polycrystalline silicon doped with alkali metals in the region of grain boundaries
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2014)

Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)

Model of the grain boundary in p-n-structures based on polycrystalline semiconductors
за авторством: L. O. Olimov
Опубліковано: (2010)

Balance model for contactless chemo-mechanical polishing of wafers
за авторством: Grigoriev, N.N., та інші
Опубліковано: (2002)

Research of the influence of siliconizing on the structure and properties of hot-pressed polycrystalline silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Composite and polycrystalline powder materials of synthetic and natural diamonds, cubic boron nitride and boron carbide. A comparative study of forms of projection and the characteristics of the cutting edges of grains powder for grinding tools
за авторством: V. G. Poltoratskij, та інші
Опубліковано: (2016)

Food powders from plant raw materials. Classification, methods of receipt, market analysis
за авторством: Yu. F. Sniezhkin, та інші
Опубліковано: (2010)

The negatronic elements on the basis of local polycrystalline silicon films
за авторством: F. D. Kasimov, та інші
Опубліковано: (2002)

Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)

Some Issues of Kinetic Theory of Radiation-Accelerated Boundary Diffusion in Polycrystalline Materials with Impurities
за авторством: E. A. Smirnov
Опубліковано: (2013)

Relaxation of Magnetosensitive Impurities in Single-Crystalline Silicon
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)

Analyzing the Raw Material Potential of Motor Fuel Production in Ukraine and Its Regions
за авторством: M. O. Kyzym, та інші
Опубліковано: (2022)

Features of carrier scattering by intercrystalline potential barriers formed by electron surface states in polycrystalline semiconductors
за авторством: Sh. B. Atakulov, та інші
Опубліковано: (2010)

Outlook for silicon raw material application in hydrogen power industry
за авторством: A. I. Manilov
Опубліковано: (2014)

Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Detonation coatings of ferromolybdenum-silicon carbide composite powder produced by the method of mechanical-chemical synthesis
за авторством: Ju. S. Borisov, та інші
Опубліковано: (2014)

Growing and refining crystalls of powder metallurgical silicon
за авторством: P. I. Loboda, та інші
Опубліковано: (2011)

Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
за авторством: A. Sarikov, та інші
Опубліковано: (2012)

Drilling of composites using tools of polycrystalline superhard materials
за авторством: L. N. Devin, та інші
Опубліковано: (2018)

Thermal stability of ultrahard polycrystalline diamond composite materials
за авторством: D. Meng, та інші
Опубліковано: (2015)

Preparation of raw materials, creation of compositions and granulation from obsolete sludge, peat and biomass
за авторством: Zh. O. Petrova, та інші
Опубліковано: (2021)

Computer calculation of the mineralogical composition of raw materials
за авторством: L. P. Cherniak, та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2016)

Mathematical model of inductor field effect on coefficient of impurity distribution in silicon
за авторством: S. G. Egorov, та інші
Опубліковано: (2009)

Novel wear-resistant superhard diamond composite polycrystalline material
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)