Storozhenko, I. P., & Sanin, S. I. (2023). TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER. Видавничий дім «Академперіодика».
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Storozhenko, I. P., та S. I. Sanin. TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER. Видавничий дім «Академперіодика», 2023.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Storozhenko, I. P., та S. I. Sanin. TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER. Видавничий дім «Академперіодика», 2023.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.