Зображення обкладинки

TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER

Subject and Purpose. The InN Gunn diode is known as the device capable of generating powerful oscillations at frequencies above 300 GHz. A possible way for increasing both the microwave power and the cutoff frequency of the Gunn diode is to employ gradedgap semiconductors. The subject of this resear...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2023
Автори:	Storozhenko, I. P., Sanin, S. I.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Видавничий дім «Академперіодика» 2023
Теми:
Онлайн доступ:	http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/1403
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Radio physics and radio astronomy

Репозитарії

Radio physics and radio astronomy

Схожі ресурси

Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)

Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
за авторством: Storozhenko, I. P.
Опубліковано: (2013)

Gunn Diode with Induced Channel in Active Region
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of Temperature on Energy and Frequency Characteristics of mm-Waves Heterocathode Gunn Diodes
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)

Gunn Diode Millimetre-Wave Frequency Shift Mixer-Amplifier
за авторством: Plaksin, S. V., та інші
Опубліковано: (2013)

THE RESONANT SYSTEM OF A SUB-TERAHERTZ LOCAL OSCILLATOR
за авторством: Kuzmichev, I. K., та інші
Опубліковано: (2023)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
за авторством: Stempitsky, V. R., та інші
Опубліковано: (2017)

Metallic Cathode Contact for Gunn Diodes on Basis of Some Novel A3B5 Semiconductor Compounds
за авторством: Arkusha, Yu. V.
Опубліковано: (2013)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
за авторством: Onikienko, Y. O., та інші
Опубліковано: (2020)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ
за авторством: Туркевич, В. З., та інші
Опубліковано: (2022)

ВИВЧЕННЯ ПОВЕДІНКИ GaN У КОНТАКТІ З Fe, Fe2-4N і Co/Cr ПРИ ВИСОКИХ ТИСКАХ і ТЕМПЕРАТУРАХ
за авторством: Петруша, І. A., та інші
Опубліковано: (2022)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)

OPEN RESONATOR FOR SUMMATION OF POWERS IN SUB-TERAHERTZ AND TERAHERTZ FREQUENCIES
за авторством: Kuz’michev, I. K., та інші
Опубліковано: (2017)

Action of Random Force on Gunn Domain
за авторством: Bass, F. G., та інші
Опубліковано: (2012)

DUAL-FREQUENCY TERAHERTZ LASER
за авторством: Dzyubenko, M. I., та інші
Опубліковано: (2025)

N-Дифлуорометиліндазоли
за авторством: Petko, Kirill I., та інші
Опубліковано: (2022)

LUMINESCENT PROPERTIES OF Nd(III) COMPLEXES WITH ETHYLENEDIAMINE-N,N'-DISUCCINIC AND N,N-BIS(PHOSPHONOMETHYL)-2-AMINOPROPIONIC ACIDS
за авторством: Trunova, Olena, та інші
Опубліковано: (2023)

THE MINERAL COMPOSITION PECULIARITIES OF ROCK SALT WATER INSOLUBLE RESIDUE (FRACTION LESS THAN 1 ΜM) OF DNIEPER-DONETSK DEPRESSION SALT-BEARING FORMATION
за авторством: Shekhunova, S. B.
Опубліковано: (2010)

The Endomorphism Monoids of (n − 3)-regular Graphs of Order n
за авторством: Gyurov, Boyko, та інші
Опубліковано: (2016)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)

Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)

\(N\) – real fields
за авторством: Feigelstock, Shalom
Опубліковано: (2018)

Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
за авторством: Mollaamin, F.
Опубліковано: (2025)

PROSPECTS OF THE USE OF GRADIENT GRATES IN THE LASERS OF TERAHERTZ RANGE
за авторством: Dzyubenko, M. I., та інші
Опубліковано: (2018)

FREE-SPACE PROPAGATION OF TERAHERTZ LASER VORTEX BEAMS
за авторством: Degtyarev, A. V., та інші
Опубліковано: (2024)

ON THE APPLICATION OF TERAHERTZ RADIATION IN VARIOUS FIELDS OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
за авторством: Karushkin, M. F., та інші
Опубліковано: (2025)

On strongly graded Gorestein orders
за авторством: Theohari-Apostolidi, Th., та інші
Опубліковано: (2018)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Free $n$-dinilpotent doppelsemigroups
за авторством: Zhuchok, Anatolii V., та інші
Опубліковано: (2016)

Memory N.A. Khizhnyak
за авторством: NASU, IRA
Опубліковано: (2014)

Conversation with S.N.Stovba
за авторством: Popadyuk, I.V., та інші
Опубліковано: (2016)