Cover Image

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode

The technique for studying the Gunn diodes with electron tunneling injection from a cathode contact has been developed by employing the two-temperature model of intervalley electron transfer in GaAs. Physical phenomena related to the effects of intervalley electron transfer in the diode active regio...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2013
Main Authors:	Storozhenko, I. P., Prokhorov, E. D., Bothula, O. V.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Видавничий дім «Академперіодика» 2013
Online Access:	http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/639
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Radio physics and radio astronomy

Institution

Radio physics and radio astronomy

Similar Items

Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
by: Arkusha, Yu. V., et al.
Published: (2013)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
by: Arkusha, Yu. V., et al.
Published: (2013)

Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
by: Storozhenko, I. P.
Published: (2013)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2008)

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
by: Kovachov, S. S., et al.
Published: (2024)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
by: Zozulia, V. O., et al.
Published: (2024)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)

Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція
by: Paschenko, G. A., et al.
Published: (2012)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2008)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
by: Melebayew, D., et al.
Published: (2008)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2009)

Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури
by: Abdulkhaev, O. A., et al.
Published: (2018)

Gunn Diode with Induced Channel in Active Region
by: Arkusha, Yu. V., et al.
Published: (2013)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
by: Venger, E. F., et al.
Published: (2014)

TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
by: Storozhenko, I. P., et al.
Published: (2023)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2008)

Influence of Temperature on Energy and Frequency Characteristics of mm-Waves Heterocathode Gunn Diodes
by: Arkusha, Yu. V., et al.
Published: (2013)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2010)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
by: Stempitsky, V. R., et al.
Published: (2017)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
by: Garkavenko, A. S.
Published: (2011)

Metallic Cathode Contact for Gunn Diodes on Basis of Some Novel A3B5 Semiconductor Compounds
by: Arkusha, Yu. V.
Published: (2013)

Gunn Diode Millimetre-Wave Frequency Shift Mixer-Amplifier
by: Plaksin, S. V., et al.
Published: (2013)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2010)

THE PALEOARCHEAN (3.3 Ga) AND MESOARCHEAN (3.0 Ga) TTGs OF THE WESTERN AZOV AREA, THE UKRAINIAN SHIELD
by: Артеменко, Г.В., et al.
Published: (2021)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
by: Pokladok, N. T., et al.
Published: (2013)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
by: Krasnov, V. A., et al.
Published: (2008)

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
by: Onikienko, Y. O., et al.
Published: (2020)

Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›
by: Pashayev, A. M., et al.
Published: (2011)

ЗАКОНОМІРНОСТІ ГІДРОЛІЗУ АЛЮМІНІЮ, АКТИВОВАНОГО ЕВТЕКТИЧНИМ СПЛАВОМ Ga-In-Sn ТА ЦИНКОМ
by: Manilevich, Fedor, et al.
Published: (2020)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008)

Корозійна поведінка квазікристалічних сплавів Al – Cu – Fe та Al – Ni – Fe у розчинах кислот
by: Sukhova, O. V., et al.
Published: (2018)

Investigation and Optimization of Auxiliary Cathode for Secondary Emission Cold-Cathode Magnetrons
by: Avtomonov, N. I., et al.
Published: (2013)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
by: Andronova, E. V., et al.
Published: (2011)

Конструкційні алюмінієві сплави систем Al−Cu−Mg і Al−Zn−Mg−Cu в літакобудуванні. Огляд
by: Пригунова, А. Г., et al.
Published: (2023)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
by: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Published: (2012)

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ
by: Туркевич, В. З., et al.
Published: (2022)

Action of Random Force on Gunn Domain
by: Bass, F. G., et al.
Published: (2012)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
by: Dobrovol’skii, Yu. G.
Published: (2012)

Високоентропійні AlCoFeCrVNi та AlCoFeCrVTi сплави, отримані механічним легуванням і наступним спіканням
by: Cherniavskyi, V. V., et al.
Published: (2018)