GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
The technique for studying the Gunn diodes with electron tunneling injection from a cathode contact has been developed by employing the two-temperature model of intervalley electron transfer in GaAs. Physical phenomena related to the effects of intervalley electron transfer in the diode active regio...
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| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Storozhenko, I. P., Prokhorov, E. D., Bothula, O. V. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2013
|
| Online Zugang: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/639 |
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| Назва журналу: | Radio physics and radio astronomy |
Institution
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