GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
The technique for studying the Gunn diodes with electron tunneling injection from a cathode contact has been developed by employing the two-temperature model of intervalley electron transfer in GaAs. Physical phenomena related to the effects of intervalley electron transfer in the diode active regio...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2013
|
| Онлайн доступ: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/639 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Radio physics and radio astronomy |
Репозитарії
Radio physics and radio astronomyСхожі ресурси
Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes
за авторством: Belyaev, A.A., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Belyaev, A.A., та інші
Опубліковано: (1999)
Polaron density of states of AlAs/GaAs/AlAs and PbS/PbTe/PbS type quantum well
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices
за авторством: Daweritz, L., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Daweritz, L., та інші
Опубліковано: (1998)
Effect of quantum dot shape of the GaAs/AlAs heterostructure on interlevel hole light absorption
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2013)
AlGaInAs graded-dap Gunn diode
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2005)
Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
за авторством: Storozhenko, I. P.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P.
Опубліковано: (2013)
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)
Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
за авторством: A. V. Gorbunov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Gorbunov, та інші
Опубліковано: (2016)
Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2004)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Nonparabolicity effects on electron-confined LO-phonon scattering rates in GaAs-Al₀.₄₅Ga₀.₅₅As superlattice
за авторством: Abouelaoualim, D.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Abouelaoualim, D.
Опубліковано: (2005)
Spin and charge effects caused by positively charged acceptors in GaAs/AlGaAs quantum wells
за авторством: P. V. Petrov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: P. V. Petrov, та інші
Опубліковано: (2015)
Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
Gunn Diode with Induced Channel in Active Region
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)