GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
На основе двухтемпературной модели междолинного переноса электронов в GaAs разработана методика исследования диодов Ганна с туннельной инжекцией электронов из катодного контакта. Изучены физические явления, связанные с эффектами междолинного переноса электронов в активной области и резонансного тунн...
Saved in:
| Date: | 2013 |
|---|---|
| Main Authors: | Storozhenko, I. P., Prokhorov, E. D., Bothula, O. V. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2013
|
| Online Access: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/639 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Radio physics and radio astronomy |
Institution
Radio physics and radio astronomySimilar Items
-
Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes
by: Belyaev, A.A., et al.
Published: (1999) -
GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2006) -
Polaron density of states of AlAs/GaAs/AlAs and PbS/PbTe/PbS type quantum well
by: Boichuk, V.I., et al.
Published: (2007) -
Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices
by: Daweritz, L., et al.
Published: (1998) -
Effect of quantum dot shape of the GaAs/AlAs heterostructure on interlevel hole light absorption
by: Boichuk, V.I., et al.
Published: (2013)