GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
На основе двухтемпературной модели междолинного переноса электронов в GaAs разработана методика исследования диодов Ганна с туннельной инжекцией электронов из катодного контакта. Изучены физические явления, связанные с эффектами междолинного переноса электронов в активной области и резонансного тунн...
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Storozhenko, I. P., Prokhorov, E. D., Bothula, O. V. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2013
|
| Online Zugang: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/639 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Radio physics and radio astronomy |
Institution
Radio physics and radio astronomyÄhnliche Einträge
-
Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes
von: Belyaev, A.A., et al.
Veröffentlicht: (1999) -
GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2006) -
Polaron density of states of AlAs/GaAs/AlAs and PbS/PbTe/PbS type quantum well
von: Boichuk, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices
von: Daweritz, L., et al.
Veröffentlicht: (1998) -
Effect of quantum dot shape of the GaAs/AlAs heterostructure on interlevel hole light absorption
von: Boichuk, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2013)