Buchumschlag

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode

The technique for studying the Gunn diodes with electron tunneling injection from a cathode contact has been developed by employing the two-temperature model of intervalley electron transfer in GaAs. Physical phenomena related to the effects of intervalley electron transfer in the diode active regio...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
Hauptverfasser:	Storozhenko, I. P., Prokhorov, E. D., Bothula, O. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Видавничий дім «Академперіодика» 2013
Online Zugang:	http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/639
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Radio physics and radio astronomy

Institution

Radio physics and radio astronomy

Ähnliche Einträge

Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
von: Storozhenko, I. P.
Veröffentlicht: (2013)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
von: Zozulia, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Influence of gas adsorption on the impedance of porous GaAs
von: Milovanov, Y.S., et al.
Veröffentlicht: (2017)

The effect of the barrier width between coupled double quantum wells of GaAs/InGaAs/GaAs on the bipolar transport and THz emission of the hot carriers in the lateral electric field
von: M. N. Vinoslavskij, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
von: A. P. Savelyev, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури
von: Abdulkhaev, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Gunn Diode with Induced Channel in Active Region
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer
von: I. P. Storozhenko, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Temperature dependences of surface magnetoelastic constants of ultrathin Fe/GaAs (001) films
von: Żuberek, R., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Venger, E. F., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
von: Савельев, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Influence of Temperature on Energy and Frequency Characteristics of mm-Waves Heterocathode Gunn Diodes
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
von: Ya. M. Olikh, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Isothermal section of the Ti—Al—Ga system at 850 °S
von: N. M. Biliavyna, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Metallic Cathode Contact for Gunn Diodes on Basis of Some Novel A3B5 Semiconductor Compounds
von: Arkusha, Yu. V.
Veröffentlicht: (2013)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011)

Features of the structure of phase formation in the Fe—Ga—Al system
von: D. A. Honcharuk, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Gunn Diode Millimetre-Wave Frequency Shift Mixer-Amplifier
von: Plaksin, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Prospects for sustained Development of National Libraries During the Era of Digital Society (on materials of the Defining Documents UNESCO, IFLA, AALL, ALA, LIBER and WSIS)
von: T. Koval, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Preincubation of L929 line fibroblasts with synthetic leu-enkephalin TYR-D-ALA-GLY-PHE-LEU-ARG (DALARGIN) preserves their proliferative potential under cold stress
von: O. K. Hulevskyi, et al.
Veröffentlicht: (2022)

The first principle calculation of electronic and optical properties of AlN, GaN and InN compounds under hydrostatic pressure
von: Berrah, S., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Ferromagnetic resonance in nanotwinned Ni–Mn–Ga film undergoing martensitic transformation
von: J. Kharlan, et al.
Veröffentlicht: (2020)