Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2013
|
| Онлайн доступ: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/736 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Radio physics and radio astronomy |
Репозитарії
Radio physics and radio astronomyСхожі ресурси
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція
за авторством: Paschenko, G. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Paschenko, G. A., та інші
Опубліковано: (2012)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)
A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024)
Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2018)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
за авторством: Venger, E. F., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Venger, E. F., та інші
Опубліковано: (2014)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
за авторством: Storozhenko, I. P.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P.
Опубліковано: (2013)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
Influence of Temperature on Energy and Frequency Characteristics of mm-Waves Heterocathode Gunn Diodes
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
THE PALEOARCHEAN (3.3 Ga) AND MESOARCHEAN (3.0 Ga) TTGs OF THE WESTERN AZOV AREA, THE UKRAINIAN SHIELD
за авторством: Артеменко, Г.В., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Артеменко, Г.В., та інші
Опубліковано: (2021)
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010)
Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
за авторством: Stempitsky, V. R., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Stempitsky, V. R., та інші
Опубліковано: (2017)
Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)
MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
за авторством: Onikienko, Y. O., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Onikienko, Y. O., та інші
Опубліковано: (2020)
Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›
за авторством: Pashayev, A. M., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Pashayev, A. M., та інші
Опубліковано: (2011)
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023)
ЗАКОНОМІРНОСТІ ГІДРОЛІЗУ АЛЮМІНІЮ, АКТИВОВАНОГО ЕВТЕКТИЧНИМ СПЛАВОМ Ga-In-Sn ТА ЦИНКОМ
за авторством: Manilevich, Fedor, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Manilevich, Fedor, та інші
Опубліковано: (2020)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)
ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ
за авторством: Туркевич, В. З., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Туркевич, В. З., та інші
Опубліковано: (2022)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
Kinematics of formation of the western and central parts of the Ukrainian shield between 2,02—2,05 Ga ago
за авторством: Mychak, S.V.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Mychak, S.V.
Опубліковано: (2015)
THERMODYNAMICALLY STABLE PHASES OF THE Ag9GaSe6 – Ag8GeSe6 SYSTEM AT T
за авторством: Moroz, Mykola, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Moroz, Mykola, та інші
Опубліковано: (2022)
Metallic Cathode Contact for Gunn Diodes on Basis of Some Novel A3B5 Semiconductor Compounds
за авторством: Arkusha, Yu. V.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V.
Опубліковано: (2013)
Melts and fluids evolution in the process of crust and mantle formation in Paleo-Proterozoic (2,2—1,75 Ga ago). Stratigraphy and magnetic activity
за авторством: Usenko, O. V.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Usenko, O. V.
Опубліковано: (2017)
SHORT - рядка AgGaS2 (SE2) аморфна сполук і епітаксійного росту плівок На їх базі С надбудовних клітин
за авторством: Kasimov, F. D., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kasimov, F. D., та інші
Опубліковано: (2013)
ВИВЧЕННЯ ПОВЕДІНКИ GaN У КОНТАКТІ З Fe, Fe2-4N і Co/Cr ПРИ ВИСОКИХ ТИСКАХ і ТЕМПЕРАТУРАХ
за авторством: Петруша, І. A., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Петруша, І. A., та інші
Опубліковано: (2022)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
за авторством: Mollaamin, F.
Опубліковано: (2025)
за авторством: Mollaamin, F.
Опубліковано: (2025)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Kinematics of formation of the Ukrainian Shield during the period 1,80-1,73 Ga ago according to the results of studies of rock fracturing of the Korosten and Korsun-Novomirgorod plutons
за авторством: Gintov, O.B., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Gintov, O.B., та інші
Опубліковано: (2014)