Cover Image

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation

Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2013
Main Authors:	Arkusha, Yu. V., Prokhorov, E. D., Storozhenko, I. P.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Видавничий дім «Академперіодика» 2013
Online Access:	http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/736
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Radio physics and radio astronomy

Institution

Radio physics and radio astronomy

Similar Items

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
by: Storozhenko, I. P., et al.
Published: (2013)

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
by: Kovachov, S. S., et al.
Published: (2024)

Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція
by: Paschenko, G. A., et al.
Published: (2012)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2008)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2008)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2009)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
by: Melebayew, D., et al.
Published: (2008)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
by: Zozulia, V. O., et al.
Published: (2024)

Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури
by: Abdulkhaev, O. A., et al.
Published: (2018)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
by: Venger, E. F., et al.
Published: (2014)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2008)

Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
by: Storozhenko, I. P.
Published: (2013)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2010)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
by: Garkavenko, A. S.
Published: (2011)

Influence of Temperature on Energy and Frequency Characteristics of mm-Waves Heterocathode Gunn Diodes
by: Arkusha, Yu. V., et al.
Published: (2013)

THE PALEOARCHEAN (3.3 Ga) AND MESOARCHEAN (3.0 Ga) TTGs OF THE WESTERN AZOV AREA, THE UKRAINIAN SHIELD
by: Артеменко, Г.В., et al.
Published: (2021)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2010)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
by: Stempitsky, V. R., et al.
Published: (2017)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
by: Pokladok, N. T., et al.
Published: (2013)

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
by: Onikienko, Y. O., et al.
Published: (2020)

Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›
by: Pashayev, A. M., et al.
Published: (2011)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
by: Krasnov, V. A., et al.
Published: (2008)

TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
by: Storozhenko, I. P., et al.
Published: (2023)

ЗАКОНОМІРНОСТІ ГІДРОЛІЗУ АЛЮМІНІЮ, АКТИВОВАНОГО ЕВТЕКТИЧНИМ СПЛАВОМ Ga-In-Sn ТА ЦИНКОМ
by: Manilevich, Fedor, et al.
Published: (2020)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008)

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ
by: Туркевич, В. З., et al.
Published: (2022)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
by: Andronova, E. V., et al.
Published: (2011)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
by: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Published: (2012)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
by: Dobrovol’skii, Yu. G.
Published: (2012)

Kinematics of formation of the western and central parts of the Ukrainian shield between 2,02—2,05 Ga ago
by: Mychak, S.V.
Published: (2015)

THERMODYNAMICALLY STABLE PHASES OF THE Ag9GaSe6 – Ag8GeSe6 SYSTEM AT T
by: Moroz, Mykola, et al.
Published: (2022)

Metallic Cathode Contact for Gunn Diodes on Basis of Some Novel A3B5 Semiconductor Compounds
by: Arkusha, Yu. V.
Published: (2013)

Melts and fluids evolution in the process of crust and mantle formation in Paleo-Proterozoic (2,2—1,75 Ga ago). Stratigraphy and magnetic activity
by: Usenko, O. V.
Published: (2017)

SHORT - рядка AgGaS2 (SE2) аморфна сполук і епітаксійного росту плівок На їх базі С надбудовних клітин
by: Kasimov, F. D., et al.
Published: (2013)

ВИВЧЕННЯ ПОВЕДІНКИ GaN У КОНТАКТІ З Fe, Fe2-4N і Co/Cr ПРИ ВИСОКИХ ТИСКАХ і ТЕМПЕРАТУРАХ
by: Петруша, І. A., et al.
Published: (2022)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2012)

Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
by: Mollaamin, F.
Published: (2025)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)

Kinematics of formation of the Ukrainian Shield during the period 1,80-1,73 Ga ago according to the results of studies of rock fracturing of the Korosten and Korsun-Novomirgorod plutons
by: Gintov, O.B., et al.
Published: (2014)