Cover Image

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation

Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2013
Main Authors:	Arkusha, Yu. V., Prokhorov, E. D., Storozhenko, I. P.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Видавничий дім «Академперіодика» 2013
Online Access:	http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/736
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Radio physics and radio astronomy

Institution

Radio physics and radio astronomy

Similar Items

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
by: Storozhenko, I. P., et al.
Published: (2013)

Influence of gas adsorption on the impedance of porous GaAs
by: Milovanov, Y.S., et al.
Published: (2017)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2008)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2008)

Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
by: A. P. Savelyev, et al.
Published: (2021)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2009)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
by: Melebayew, D., et al.
Published: (2008)

Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2001)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
by: Zozulia, V. O., et al.
Published: (2024)

Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури
by: Abdulkhaev, O. A., et al.
Published: (2018)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
by: Савельев, А.П., et al.
Published: (2017)

Temperature dependences of surface magnetoelastic constants of ultrathin Fe/GaAs (001) films
by: Żuberek, R., et al.
Published: (2012)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2008)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
by: Venger, E. F., et al.
Published: (2014)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2007)

Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
by: Storozhenko, I. P.
Published: (2013)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2010)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
by: Garkavenko, A. S.
Published: (2011)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
by: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Published: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
by: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Published: (2021)

Influence of Temperature on Energy and Frequency Characteristics of mm-Waves Heterocathode Gunn Diodes
by: Arkusha, Yu. V., et al.
Published: (2013)

Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
by: Ya. M. Olikh, et al.
Published: (2021)

THE PALEOARCHEAN (3.3 Ga) AND MESOARCHEAN (3.0 Ga) TTGs OF THE WESTERN AZOV AREA, THE UKRAINIAN SHIELD
by: Артеменко, Г.В., et al.
Published: (2021)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
by: Stempitsky, V. R., et al.
Published: (2017)

The Paleoarchean (3.3 Ga) and Mesoarchean (3.0 Ga) tonalite-trondhjemitegranodiorite rocks of the West Azov area (the Ukrainian Shield)
by: G. V. Artemenko, et al.
Published: (2021)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2010)

Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs
by: R. M. Vernydub, et al.
Published: (2021)

Dielectric characteristics of GaSe nanocrystals intercalated with hydrogen
by: Kaminskii, V.I., et al.
Published: (2007)

Spectral characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs
by: R. M. Vernydub, et al.
Published: (2021)

Isothermal section of the Ti—Al—Ga system at 850 °S
by: N. M. Biliavyna, et al.
Published: (2020)

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
by: Sachenko, A.V., et al.
Published: (2012)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
by: Pokladok, N. T., et al.
Published: (2013)

Features of the structure of phase formation in the Fe—Ga—Al system
by: D. A. Honcharuk, et al.
Published: (2022)

Self-associated atomic groups in Ga–Sn liquid alloys
by: R. Bilyk, et al.
Published: (2021)

Self-associated atomic groups in Ga–Sn liquid alloys
by: R. Bilyk, et al.
Published: (2021)

TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
by: Storozhenko, I. P., et al.
Published: (2023)

Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer
by: I. P. Storozhenko, et al.
Published: (2022)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
by: Krasnov, V. A., et al.
Published: (2008)