Параметри пасток для носіїв заряду в ZnSe
Taking zinc selenide (ZnSe) crystals as an example, a procedure of determination of the main parameters of traps is proposed. At first, the conductivity type (electron or hole one) in a crystal of phosphor at its excitation is determined with the help of photoelectric studies or studies of the therm...
Saved in:
| Date: | 2019 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | English Ukrainian |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/103 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131123978076160 |
|---|---|
| author | Degoda, V. Ya. Alizadeh, M. |
| author_facet | Degoda, V. Ya. Alizadeh, M. |
| author_sort | Degoda, V. Ya. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2019-06-20T08:54:12Z |
| description | Taking zinc selenide (ZnSe) crystals as an example, a procedure of determination of the main parameters of traps is proposed. At first, the conductivity type (electron or hole one) in a crystal of phosphor at its excitation is determined with the help of photoelectric studies or studies of the thermionic emission or thermal or photo-thermal emf. Then the energy of the thermal electron delocalization is determined, e.g., by using the method of thermally stimulated luminescence with sequential fractional heating. As a result, the frequency factors of corresponding traps are found as well. Knowing the effective electron mass, it is easy to calculate the effective density of electron states in the conduction band. Finally, the cross sections of the free-electron localization and their temperature dependences can be determined for all traps from a simple equation. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe64.4.300 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:13:46Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-103 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | English Ukrainian |
| last_indexed | 2025-10-02T01:13:46Z |
| publishDate | 2019 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-1032019-06-20T08:54:12Z Parameters of Charge Carrier Traps in ZnSe Параметри пасток для носіїв заряду в ZnSe Degoda, V. Ya. Alizadeh, M. charge carrier traps recombination centers localization centers delocalization centers zinc selenide - пастки для носiїв заряду центри рекомбiнацiї центри локалiзацiї центри делокалiзацiї селенiд цинку Taking zinc selenide (ZnSe) crystals as an example, a procedure of determination of the main parameters of traps is proposed. At first, the conductivity type (electron or hole one) in a crystal of phosphor at its excitation is determined with the help of photoelectric studies or studies of the thermionic emission or thermal or photo-thermal emf. Then the energy of the thermal electron delocalization is determined, e.g., by using the method of thermally stimulated luminescence with sequential fractional heating. As a result, the frequency factors of corresponding traps are found as well. Knowing the effective electron mass, it is easy to calculate the effective density of electron states in the conduction band. Finally, the cross sections of the free-electron localization and their temperature dependences can be determined for all traps from a simple equation. На прикладi кристалiв селенiду цинку (ZnSe) запропонована система визначення основних параметрiв пасток. Спочатку за допомогою фотоелектричних дослiджень, або дослiджень термоемiсiйного струму, або термо- i фототермо-ерс, визначають характер провiдностi (електронний чи дiрковий) в кристалофосфорi при збудженнi. Далi визначаються енергiї термiчної делокалiзацiї електронiв, наприклад, методом послiдовного фракцiйного нагрiвання термостимульованої люмiнесценцiї. При цьому також визначаються частотнi фактори для вiдповiдних пасток. Знаючи ефективну масу електрона легко вираховується ефективна густина станiв електронiв у зонi провiдностi. I в результатi з простого рiвняння можна визначити перерiзи локалiзацiї вiльних електронiв на усi пастки та їх температурнi залежностi. Publishing house "Academperiodika" 2019-05-16 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/103 10.15407/ujpe64.4.300 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 64 No. 4 (2019); 300 Український фізичний журнал; Том 64 № 4 (2019); 300 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe64.4 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/103/1364 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/103/1365 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| spellingShingle | пастки для носiїв заряду центри рекомбiнацiї центри локалiзацiї центри делокалiзацiї селенiд цинку Degoda, V. Ya. Alizadeh, M. Параметри пасток для носіїв заряду в ZnSe |
| title | Параметри пасток для носіїв заряду в ZnSe |
| title_alt | Parameters of Charge Carrier Traps in ZnSe |
| title_full | Параметри пасток для носіїв заряду в ZnSe |
| title_fullStr | Параметри пасток для носіїв заряду в ZnSe |
| title_full_unstemmed | Параметри пасток для носіїв заряду в ZnSe |
| title_short | Параметри пасток для носіїв заряду в ZnSe |
| title_sort | параметри пасток для носіїв заряду в znse |
| topic | пастки для носiїв заряду центри рекомбiнацiї центри локалiзацiї центри делокалiзацiї селенiд цинку |
| topic_facet | charge carrier traps recombination centers localization centers delocalization centers zinc selenide - пастки для носiїв заряду центри рекомбiнацiї центри локалiзацiї центри делокалiзацiї селенiд цинку |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/103 |
| work_keys_str_mv | AT degodavya parametersofchargecarriertrapsinznse AT alizadehm parametersofchargecarriertrapsinznse AT degodavya parametripastokdlânosíívzarâduvznse AT alizadehm parametripastokdlânosíívzarâduvznse |