Параметри пасток для носіїв заряду в ZnSe
Taking zinc selenide (ZnSe) crystals as an example, a procedure of determination of the main parameters of traps is proposed. At first, the conductivity type (electron or hole one) in a crystal of phosphor at its excitation is determined with the help of photoelectric studies or studies of the therm...
Gespeichert in:
| Datum: | 2019 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Degoda, V. Ya., Alizadeh, M. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/103 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of PhysicsÄhnliche Einträge
-
Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb
von: Tetyorkin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2024) -
Особливостi формування рекомбiнацiйного струму в областi просторового заряду кремнiєвих сонячних елементiв
von: Sachenko, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм
von: Tetyorkin, V., et al.
Veröffentlicht: (2025) -
Dipolе-центр у кристалах селеніду цинку
von: Degoda, V.Ya., et al.
Veröffentlicht: (2022) -
Енергетичнi витрати на iонiзацiю молекули води електронним ударом у слабкоiонiзованiй плазмi
von: Kovtun, Yu. V.
Veröffentlicht: (2019)