Параметри пасток для носіїв заряду в ZnSe
Taking zinc selenide (ZnSe) crystals as an example, a procedure of determination of the main parameters of traps is proposed. At first, the conductivity type (electron or hole one) in a crystal of phosphor at its excitation is determined with the help of photoelectric studies or studies of the therm...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | Degoda, V. Ya., Alizadeh, M. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/103 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
-
Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2024) -
Особливостi формування рекомбiнацiйного струму в областi просторового заряду кремнiєвих сонячних елементiв
за авторством: Sachenko, A. V., та інші
Опубліковано: (2019) -
Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм
за авторством: Tetyorkin, V., та інші
Опубліковано: (2025) -
Dipolе-центр у кристалах селеніду цинку
за авторством: Degoda, V.Ya., та інші
Опубліковано: (2022) -
Енергетичнi витрати на iонiзацiю молекули води електронним ударом у слабкоiонiзованiй плазмi
за авторством: Kovtun, Yu. V.
Опубліковано: (2019)