Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд)
Review is devoted to the recent theoretical studies of the impact of domain structure of ferroelectric substrate on graphene conductance. An analytical description of the hysteresis memory effect in a field effect transistor based on graphene-on-ferroelectric, taking into account absorbed dipole lay...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/108 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-108 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-1082020-10-19T00:44:45Z Influence of Domain Structure in Ferroelectric Substrate on Graphene Conductance (Authors' Review) Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд) Strikha, M. V. Kurchak, A. I. Morozovska, A. N. графен-на-сегнетоелектрику доменна структура провідність польовий транзистор graphene-on-ferroelectric domain structure conductance field effect transistor Review is devoted to the recent theoretical studies of the impact of domain structure of ferroelectric substrate on graphene conductance. An analytical description of the hysteresis memory effect in a field effect transistor based on graphene-on-ferroelectric, taking into account absorbed dipole layers on the free surface of graphene and localized states on its interfaces is considered. The aspects of the recently developed theory of p-n junctions conductivity in a graphene channel on a ferroelectric substrate, which are created by a 180-degree ferroelectric domain structure, are analyzed, and cases of different current regimes from ballistic to diffusion one are considered. The influence of size effects in such systems and the possibility of using the results for improving the characteristics of field effect transistors with a graphene channel, non-volatile ferroelectric memory cells with random access, sensors, as well as for miniaturization of various devices of functional nanoelectronics are discussed. Огляд присвячено останнім теоретичним дослідженням впливу доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графенового каналу. Розглянутий аналітичний опис ефектів пам'яті гістерезисного типу у польовому транзисторі на основі графена-на-сегнетоелектрику, з урахуванням адсорбованих дипольних шарів на вільній поверхні графену і локалізованих станів на його інтерфейсах. Аналізуються аспекти нещодавно розвинутої теорії провідності р-n переходів у графеновому каналі на сегнетоелектричній підкладці, які створені 180-градусною сегнетоелектричною доменною структурою, причому розглянуті випадки різних режимів струму, від балістичного до дифузійного. Обговорюється вплив розмірних ефектів у таких системах та можливість використання результатів для вдосконалення характеристик польових транзисторів з графеновим каналом, комірок енергонезалежної сегнетоелектричної пам'яті з довільним доступом, сенсорів, а також для мініатюризації різних пристроїв функціональної наноелектроніки Publishing house "Academperiodika" 2018-01-26 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/108 10.15407/ujpe63.01.0049 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 63 No. 1 (2018); 49-69 Український фізичний журнал; Том 63 № 1 (2018); 49-69 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe63.01 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/108/1 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2020-10-19T00:44:45Z |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
графен-на-сегнетоелектрику доменна структура провідність польовий транзистор |
| spellingShingle |
графен-на-сегнетоелектрику доменна структура провідність польовий транзистор Strikha, M. V. Kurchak, A. I. Morozovska, A. N. Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд) |
| topic_facet |
графен-на-сегнетоелектрику доменна структура провідність польовий транзистор graphene-on-ferroelectric domain structure conductance field effect transistor |
| format |
Article |
| author |
Strikha, M. V. Kurchak, A. I. Morozovska, A. N. |
| author_facet |
Strikha, M. V. Kurchak, A. I. Morozovska, A. N. |
| author_sort |
Strikha, M. V. |
| title |
Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд) |
| title_short |
Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд) |
| title_full |
Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд) |
| title_fullStr |
Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд) |
| title_full_unstemmed |
Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд) |
| title_sort |
вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд) |
| title_alt |
Influence of Domain Structure in Ferroelectric Substrate on Graphene Conductance (Authors' Review) |
| description |
Review is devoted to the recent theoretical studies of the impact of domain structure of ferroelectric substrate on graphene conductance. An analytical description of the hysteresis memory effect in a field effect transistor based on graphene-on-ferroelectric, taking into account absorbed dipole layers on the free surface of graphene and localized states on its interfaces is considered. The aspects of the recently developed theory of p-n junctions conductivity in a graphene channel on a ferroelectric substrate, which are created by a 180-degree ferroelectric domain structure, are analyzed, and cases of different current regimes from ballistic to diffusion one are considered. The influence of size effects in such systems and the possibility of using the results for improving the characteristics of field effect transistors with a graphene channel, non-volatile ferroelectric memory cells with random access, sensors, as well as for miniaturization of various devices of functional nanoelectronics are discussed. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/108 |
| work_keys_str_mv |
AT strikhamv influenceofdomainstructureinferroelectricsubstrateongrapheneconductanceauthorsreview AT kurchakai influenceofdomainstructureinferroelectricsubstrateongrapheneconductanceauthorsreview AT morozovskaan influenceofdomainstructureinferroelectricsubstrateongrapheneconductanceauthorsreview AT strikhamv vplivdomennoístrukturisegnetoelektričnoípídkladkinaprovídnístʹgrafenuavtorsʹkijoglâd AT kurchakai vplivdomennoístrukturisegnetoelektričnoípídkladkinaprovídnístʹgrafenuavtorsʹkijoglâd AT morozovskaan vplivdomennoístrukturisegnetoelektričnoípídkladkinaprovídnístʹgrafenuavtorsʹkijoglâd |
| first_indexed |
2025-10-02T01:13:47Z |
| last_indexed |
2025-10-02T01:13:47Z |
| _version_ |
1851765023303532544 |