Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд)
Review is devoted to the recent theoretical studies of the impact of domain structure of ferroelectric substrate on graphene conductance. An analytical description of the hysteresis memory effect in a field effect transistor based on graphene-on-ferroelectric, taking into account absorbed dipole lay...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | Strikha, M. V., Kurchak, A. I., Morozovska, A. N. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/108 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
-
Вплив доменної структури сегнетоелектричної пiдкладки на провiднiсть графену
за авторством: Kurchak, A. I.
Опубліковано: (2019) -
Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах
за авторством: Vikulin, Ivan, та інші
Опубліковано: (2023) -
Огляд властивостей графену в зв’язку з його використанням як підкладки для безматричної мас-спектрометрії
за авторством: Gabovich, V. A., та інші
Опубліковано: (2010) -
Квазісинхронна термокомпенсація в іонометрії із застосуванням ІСПТ. Частина 2: Практична реалізація
за авторством: Pavluchenko, Alexey, та інші
Опубліковано: (2021) -
ВЛАСТИВОСТІ КОМПОЗИТУ З МІДНОЮ МАТРИЦЕЮ ТА ДОБАВКОЮ N-ШАРОВОГО ГРАФЕНУ
за авторством: Соколов, О. М., та інші
Опубліковано: (2019)