Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд)
Review is devoted to the recent theoretical studies of the impact of domain structure of ferroelectric substrate on graphene conductance. An analytical description of the hysteresis memory effect in a field effect transistor based on graphene-on-ferroelectric, taking into account absorbed dipole lay...
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | Strikha, M. V., Kurchak, A. I., Morozovska, A. N. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/108 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
-
Вплив доменної структури сегнетоелектричної пiдкладки на провiднiсть графену
за авторством: Kurchak, A. I.
Опубліковано: (2019) -
Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE
за авторством: Kurchak, A. I., та інші
Опубліковано: (2018) -
Анiзотропiя провiдностi двошарового графену при вiдносному змiщеннi його шарiв
за авторством: Litovchenko, V. G., та інші
Опубліковано: (2018) -
Змочування графену метанолом або водою
за авторством: Barylka, A. G., та інші
Опубліковано: (2019) -
Конкурентнi механiзми гiстерезису опору в графеновому каналi
за авторством: Kurchak, A. I., та інші
Опубліковано: (2018)