Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки

• Дата: 2018
• Автори: Trubaieva, O. G., Lalayants, A. I., Chaika, M. A.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2018
• Теми: Об’ємнi кристали ZnSxSe1−x; прямі переходи; непрямі переходи; заборонена зона; ZnSxSe1−x bulk crystals; direct transitions; indirect transitions; band gap
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018035
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

Об’ємнi кристали ZnSxSe1−x були вирощенi за методом Бриджмена–Стокбаргера. Прозорiсть зразкiв ZnSxSe1−x становила вiд 67% до 56% на la = 1100 нм (товщина зразка 4 мм), що вказує на високу оптичну якiсть кристалiв. Оптичнi експерименти показали вiдсутнiсть нових станiв з включенням...