Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки

Об’ємнi кристали ZnSxSe1−x були вирощенi за методом Бриджмена–Стокбаргера. Прозорiсть зразкiв ZnSxSe1−x становила вiд 67% до 56% на la = 1100 нм (товщина зразка 4 мм), що вказує на високу оптичну якiсть кристалiв. Оптичнi експерименти показали вiдсутнiсть нових станiв з включенням...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2018
Автори: Trubaieva, O. G., Lalayants, A. I., Chaika, M. A.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2018
Теми:
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018035
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics
Опис
Резюме:Об’ємнi кристали ZnSxSe1−x були вирощенi за методом Бриджмена–Стокбаргера. Прозорiсть зразкiв ZnSxSe1−x становила вiд 67% до 56% на la = 1100 нм (товщина зразка 4 мм), що вказує на високу оптичну якiсть кристалiв. Оптичнi експерименти показали вiдсутнiсть нових станiв з включенням сiрки, заборонена зона безперервно рухається зi складом. Оптична ширина забороненої зони ZnSxSe1−x кристала варiювалася вiд 2,59 до 2,78 еВ для прямих переходiв i вiд 2,49 до 2,70 еВ для непрямих переходiв.