Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки
Об’ємнi кристали ZnSxSe1−x були вирощенi за методом Бриджмена–Стокбаргера. Прозорiсть зразкiв ZnSxSe1−x становила вiд 67% до 56% на la = 1100 нм (товщина зразка 4 мм), що вказує на високу оптичну якiсть кристалiв. Оптичнi експерименти показали вiдсутнiсть нових станiв з вкл...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018035 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131130341883904 |
|---|---|
| author | Trubaieva, O. G. Lalayants, A. I. Chaika, M. A. |
| author_facet | Trubaieva, O. G. Lalayants, A. I. Chaika, M. A. |
| author_sort | Trubaieva, O. G. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2020-10-19T00:44:31Z |
| description | Об’ємнi кристали ZnSxSe1−x були вирощенi за методом Бриджмена–Стокбаргера. Прозорiсть зразкiв ZnSxSe1−x становила вiд 67% до 56% на la = 1100 нм (товщина зразка 4 мм), що вказує на високу оптичну якiсть кристалiв. Оптичнi експерименти показали вiдсутнiсть нових станiв з включенням сiрки, заборонена зона безперервно рухається зi складом. Оптична ширина забороненої зони ZnSxSe1−x кристала варiювалася вiд 2,59 до 2,78 еВ для прямих переходiв i вiд 2,49 до 2,70 еВ для непрямих переходiв. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe63.01.0033 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:13:51Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2018035 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | English |
| last_indexed | 2025-10-02T01:13:51Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20180352020-10-19T00:44:31Z Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки Band Gap Change of Bulk ZnSxSe1–x Semiconductors by Controlling the Sulfur Content Trubaieva, O. G. Lalayants, A. I. Chaika, M. A. Об’ємнi кристали ZnSxSe1−x прямі переходи непрямі переходи заборонена зона ZnSxSe1−x bulk crystals direct transitions indirect transitions band gap ZnSxSe1−x bulk crystals direct transitions indirect transitions band gap Об’ємнi кристали ZnSxSe1−x були вирощенi за методом Бриджмена–Стокбаргера. Прозорiсть зразкiв ZnSxSe1−x становила вiд 67% до 56% на la = 1100 нм (товщина зразка 4 мм), що вказує на високу оптичну якiсть кристалiв. Оптичнi експерименти показали вiдсутнiсть нових станiв з включенням сiрки, заборонена зона безперервно рухається зi складом. Оптична ширина забороненої зони ZnSxSe1−x кристала варiювалася вiд 2,59 до 2,78 еВ для прямих переходiв i вiд 2,49 до 2,70 еВ для непрямих переходiв. ZnSxSe1−x bulk crystals were grown by the Bridgman–Stockbarger method. The transmittance of different samples in the range from 67% to 56% at la = 1100 nm (for 4-mm samples) indicates a high optical quality of the crystals. No new states were revealed at the sulfur incorporation, and the band gap depends on the composition. The optical band gap of ZnSxSe1−x bulk crystals varies from 2.59 to 2.78 eV for direct transitions and from 2.49 to 2.70 eV for indirect transitions. Publishing house "Academperiodika" 2018-02-01 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018035 10.15407/ujpe63.01.0033 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 63 No. 1 (2018); 33-37 Український фізичний журнал; Том 63 № 1 (2018); 33-37 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe63.01 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018035/8 |
| spellingShingle | Об’ємнi кристали ZnSxSe1−x прямі переходи непрямі переходи заборонена зона Trubaieva, O. G. Lalayants, A. I. Chaika, M. A. Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки |
| title | Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки |
| title_alt | Band Gap Change of Bulk ZnSxSe1–x Semiconductors by Controlling the Sulfur Content |
| title_full | Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки |
| title_fullStr | Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки |
| title_full_unstemmed | Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки |
| title_short | Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки |
| title_sort | зміна забороненої зони znsxse1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки |
| topic | Об’ємнi кристали ZnSxSe1−x прямі переходи непрямі переходи заборонена зона |
| topic_facet | Об’ємнi кристали ZnSxSe1−x прямі переходи непрямі переходи заборонена зона ZnSxSe1−x bulk crystals direct transitions indirect transitions band gap ZnSxSe1−x bulk crystals direct transitions indirect transitions band gap |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018035 |
| work_keys_str_mv | AT trubaievaog zmínazaboronenoízoniznsxse1xobêmnihnapívprovídnikívšlâhomregulûvannâvmístusírki AT lalayantsai zmínazaboronenoízoniznsxse1xobêmnihnapívprovídnikívšlâhomregulûvannâvmístusírki AT chaikama zmínazaboronenoízoniznsxse1xobêmnihnapívprovídnikívšlâhomregulûvannâvmístusírki AT trubaievaog bandgapchangeofbulkznsxse1xsemiconductorsbycontrollingthesulfurcontent AT lalayantsai bandgapchangeofbulkznsxse1xsemiconductorsbycontrollingthesulfurcontent AT chaikama bandgapchangeofbulkznsxse1xsemiconductorsbycontrollingthesulfurcontent |