Вплив дефектів дивакансія-кисень на рекомбінаційні властивості n-Si після опромінення та наступного відпалу

• Дата: 2018
• Автори: Kras’ko, M. M., Kolosiuk, A. G., Voitovych, V. V., Povarchuk, V. Yu., Roguts’kyi, I. S.
• Формат: Стаття
• Мова: English; Ukrainian
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2018
• Теми: гамма-опромiнення; дефект дивакансiя-кисень; час життя носiїв заряду; кремнiй; -; gamma irradiation; divacancy-oxygen defect; charge carrier lifetime; silicon
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018178
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

The variation of recombination properties in n-Si grown by the Czochralski method, doped to the free electron concentration n0 ∼ 10^14 ÷10^16 cm^−3, irradiated with 60Co y-quanta or 1-MeV electrons, and isochronously annealed for 20 min in the temperature interval 180–380∘C, in which divacancy-oxyge...