Вплив дефектів дивакансія-кисень на рекомбінаційні властивості n-Si після опромінення та наступного відпалу
The variation of recombination properties in n-Si grown by the Czochralski method, doped to the free electron concentration n0 ∼ 10^14 ÷10^16 cm^−3, irradiated with 60Co y-quanta or 1-MeV electrons, and isochronously annealed for 20 min in the temperature interval 180–380∘C, in which divacancy-oxyge...
Gespeichert in:
| Datum: | 2018 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018178 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |